GA1206Y333MBJBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為需要高效率和低損耗的應用而設�。該芯片采用先進的制造工藝,具有出色的開關特性和導通性能。其主要應用領域包括電源管理、電機驅動以及工�(yè)自動化等場景。該器件通過�(yōu)化的 Rds(on) 參數(shù)顯著降低了功耗,并且能夠承受較高的電壓和電流,適用于對可靠性要求極高的�(huán)境�
型號:GA1206Y333MBJBT31G
類型:N-Channel Power MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�120V
最大連續(xù)漏電�(Id)�60A
柵極-源極電壓(Vgs):�20V
導通電�(Rds(on))�3.3mΩ
總功�(Ptot)�150W
工作溫度范圍(Ta)�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
GA1206Y333MBJBT31G 的核心特性在于其卓越的電氣性能和可靠�。首先,它具備極低的導通電� (Rds(on)) 參數(shù),僅� 3.3mΩ,這使得其在高電流應用場景下的功耗顯著降�。其�,該器件的最大漏源電壓為 120V,可以適應大多數(shù)高壓場合的需�。同�,該芯片支持高達 60A 的連續(xù)漏電�,確保了其在大電流負載條件下的穩(wěn)定��
此外,該芯片的工作溫度范圍非常寬� (-55� � +175�),非常適合高溫或極端�(huán)境下使用。其 TO-247 封裝形式提供了良好的散熱性能,進一步提升了整體效率。最后,由于采用了先進的制造工�,這款 MOSFET 在開關速度和噪聲抑制方面表�(xiàn)出色,能夠滿足現(xiàn)代電子系�(tǒng)對于快速響應和低干擾的要求�
GA1206Y333MBJBT31G 廣泛應用于多種高功率場景,例如開關模式電� (SMPS)、直�-直流轉換�、不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)、電機驅動控制器、逆變器模塊以及太陽能光伏逆變器等。憑借其低導通電阻和高耐壓能力,這款芯片特別適合于需要高效能量轉換和�(wěn)定運行的工業(yè)設備�
此外,該器件還被廣泛用于電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的電池管理系�(tǒng) (BMS) �,以實現(xiàn)更精確的電流控制和更高的能源利用效率??傊?,任何需要高性能功率開關的應用都可以考慮使用 GA1206Y333MBJBT31G�
IRF840,
STP120NF06,
FDP12N120,
IXFN120N10T2