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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GA1206Y333MBJBT31G

GA1206Y333MBJBT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 16:11:48 查看 閱讀�22

GA1206Y333MBJBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為需要高效率和低損耗的應用而設�。該芯片采用先進的制造工藝,具有出色的開關特性和導通性能。其主要應用領域包括電源管理、電機驅動以及工�(yè)自動化等場景。該器件通過�(yōu)化的 Rds(on) 參數(shù)顯著降低了功耗,并且能夠承受較高的電壓和電流,適用于對可靠性要求極高的�(huán)境�

參數(shù)

型號:GA1206Y333MBJBT31G
  類型:N-Channel Power MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�120V
  最大連續(xù)漏電�(Id)�60A
  柵極-源極電壓(Vgs):�20V
  導通電�(Rds(on))�3.3mΩ
  總功�(Ptot)�150W
  工作溫度范圍(Ta)�-55� to +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y333MBJBT31G 的核心特性在于其卓越的電氣性能和可靠�。首先,它具備極低的導通電� (Rds(on)) 參數(shù),僅� 3.3mΩ,這使得其在高電流應用場景下的功耗顯著降�。其�,該器件的最大漏源電壓為 120V,可以適應大多數(shù)高壓場合的需�。同�,該芯片支持高達 60A 的連續(xù)漏電�,確保了其在大電流負載條件下的穩(wěn)定��
  此外,該芯片的工作溫度范圍非常寬� (-55� � +175�),非常適合高溫或極端�(huán)境下使用。其 TO-247 封裝形式提供了良好的散熱性能,進一步提升了整體效率。最后,由于采用了先進的制造工�,這款 MOSFET 在開關速度和噪聲抑制方面表�(xiàn)出色,能夠滿足現(xiàn)代電子系�(tǒng)對于快速響應和低干擾的要求�

應用

GA1206Y333MBJBT31G 廣泛應用于多種高功率場景,例如開關模式電� (SMPS)、直�-直流轉換�、不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)、電機驅動控制器、逆變器模塊以及太陽能光伏逆變器等。憑借其低導通電阻和高耐壓能力,這款芯片特別適合于需要高效能量轉換和�(wěn)定運行的工業(yè)設備�
  此外,該器件還被廣泛用于電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的電池管理系�(tǒng) (BMS) �,以實現(xiàn)更精確的電流控制和更高的能源利用效率??傊?,任何需要高性能功率開關的應用都可以考慮使用 GA1206Y333MBJBT31G�

替代型號

IRF840,
  STP120NF06,
  FDP12N120,
  IXFN120N10T2

ga1206y333mbjbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容0.033 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-