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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > CSD25481F4

CSD25481F4 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 15:44:14 查看 閱讀�17

CSD25481F4是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�。該器件采用增強(qiáng)型工藝設(shè)�,具有非常低的導(dǎo)通電阻和極快的開�(guān)速度,適用于高頻、高效能的應(yīng)用場�。這款芯片廣泛�(yīng)用于功率�(zhuǎn)換電路,例如電源適配�、充電器、太陽能逆變器等,以�(shí)�(xiàn)更小體積、更高效率的解決方案�
  由于其出色的性能,CSD25481F4在現(xiàn)代電力電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)�,尤其是在對尺寸和熱管理有嚴(yán)格要求的�(shè)計中�

參數(shù)

額定電壓�600V
  最大漏源電流:15A
  �(dǎo)通電阻:160mΩ
  柵極電荷�36nC
  輸入電容�1480pF
  輸出電容�300pF
  反向傳輸電容�75pF
  工作溫度范圍�-55°C�+150°C
  封裝形式:QFN-8�3.5x3.5mm�

特�

CSD25481F4的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 高效的開�(guān)性能,能夠顯著降低開�(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,從而提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損耗并提升散熱性能�
  3. 極快的開�(guān)速度,支持高頻操�,減少了無源元件的尺寸和成本�
  4. 增強(qiáng)型設(shè)計確保了器件在正常工作條件下的穩(wěn)定�,并且只有在正柵極驅(qū)動時才會開啟�
  5. 具備�(qiáng)大的短路保護(hù)能力,可有效避免因異常情況導(dǎo)致的損壞�
  6. 小型化的QFN封裝�(jìn)一步節(jié)省了PCB空間,非常適合緊湊型�(shè)計需��

�(yīng)�

CSD25481F4適用于多種需要高性能功率�(zhuǎn)換的場景,主要應(yīng)用領(lǐng)域如下:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,如AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 快速充電器和USB-PD適配��
  3. 太陽能微逆變器和�(yōu)化器�
  4. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)動控��
  5. 電動汽車(EV)車載充電器和充電樁�
  6. �(shù)�(jù)中心和通信�(shè)備的高效電源模塊�
  由于其高效率和小型化特點(diǎn),CSD25481F4非常適合追求輕量化和高效能的便攜式設(shè)備及工業(yè)級應(yīng)��

替代型號

CSD25480F4, CSD25482F4

csd25481f4推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

csd25481f4資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

csd25481f4參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�82,201�(xiàn)�9,000Factory
  • 價格1 : �3.42000剪切帶(CT�3,000 : �0.75842卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�20 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)2.5A(Ta�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�1.8V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)88 毫歐 @ 500mA�8V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)0.913 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)-12V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)189 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�3-PICOSTAR
  • 封裝/外殼3-XFDFN