60N04是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用TO-252封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能�,適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)�。其額定電流�40A�60A,具體取決于制造商的規(guī)格�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�40A � 60A
柵極閾值電壓:2V � 4V
�(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
總功耗:14W
工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�
60N04具備非常低的�(dǎo)通電�,這使其在高電流應(yīng)用中能夠有效減少功率損耗并提升效率�
它還支持快速開�(guān)操作,并且具備較低的輸入電容,有助于降低開關(guān)損��
此外,該器件具有較高的雪崩擊穿能�,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性與魯棒��
TO-252封裝形式緊湊,適合空間受限的�(yīng)用場��
該MOSFET廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)
3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)
4. 汽車電子�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�
5. 工業(yè)控制中的功率管理模塊
IRFZ44N
STP40NF06
FDP5580
IXFN40N06T2