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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A820GXEBP31G

GA1206A820GXEBP31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 22:25:43 查看 閱讀�8

GA1206A820GXEBP31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高效率和優(yōu)異的熱性能,適用于需要高效能�(zhuǎn)換和快速開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
  該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,能夠承受較高的漏源電壓,并提供大電流處理能力,同時(shí)支持高頻工作�(huán)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  漏源電壓(Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�79nC
  輸入電容(Ciss)�3420pF
  最大工作結(jié)溫:175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A820GXEBP31G具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有效降低功率損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流和電壓能力,確保在�(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)��
  3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景�
  4. 良好的熱性能,有助于提升散熱效果,延�(zhǎng)器件使用壽命�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材�,滿足現(xiàn)代工�(yè)�(duì)綠色�(chǎn)品的�(yán)格要��
  6. 具備出色的雪崩能力和抗干擾性能,提高了系統(tǒng)的可靠��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng),用于控制各種類型的電機(jī)�(yùn)��
  3. 逆變器電�,為太陽(yáng)能發(fā)電和不間斷電�(UPS)提供核心元件�
  4. 各類電子�(fù)載設(shè)備中的功率管理模塊�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)功能�
  其強(qiáng)大的電氣特性和可靠性使其成為眾多高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

IRFP250N
  FDP58N60
  STP50NF06L

ga1206a820gxebp31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容82 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-