GA1206A820GXEBP31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高效率和優(yōu)異的熱性能,適用于需要高效能�(zhuǎn)換和快速開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,能夠承受較高的漏源電壓,并提供大電流處理能力,同時(shí)支持高頻工作�(huán)��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
漏源電壓(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
柵極電荷(Qg)�79nC
輸入電容(Ciss)�3420pF
最大工作結(jié)溫:175°C
封裝形式:TO-247
GA1206A820GXEBP31G具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有效降低功率損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流和電壓能力,確保在�(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)��
3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景�
4. 良好的熱性能,有助于提升散熱效果,延�(zhǎng)器件使用壽命�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材�,滿足現(xiàn)代工�(yè)�(duì)綠色�(chǎn)品的�(yán)格要��
6. 具備出色的雪崩能力和抗干擾性能,提高了系統(tǒng)的可靠��
該芯片廣泛應(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng),用于控制各種類型的電機(jī)�(yùn)��
3. 逆變器電�,為太陽(yáng)能發(fā)電和不間斷電�(UPS)提供核心元件�
4. 各類電子�(fù)載設(shè)備中的功率管理模塊�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)功能�
其強(qiáng)大的電氣特性和可靠性使其成為眾多高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
IRFP250N
FDP58N60
STP50NF06L