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PTVSHC1DF7VU 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/3 11:16:28 查看 閱讀�32

PTVSHC1DF7VU 是一款基� Infineon Technologies 的高� MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor�,屬� CoolMOS 系列。此器件采用了先�(jìn)的超�(jí)�(jié)技�(shù),旨在提供高效率和卓越的�(kāi)�(guān)性能,特別適合用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及太陽(yáng)能逆變器等�(yīng)�。其�(shè)�(jì)目標(biāo)是降低導(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)損�,同�(shí)保持高可靠��

參數(shù)

型號(hào):PTVSHC1DF7VU
  �(lèi)型:N-Channel MOSFET
  漏源極電�(Vds)�700 V
  連續(xù)漏極電流(Id)�1.4 A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�5.3 Ω(最大�,在室溫條件下)
  柵極電荷(Qg)�8 nC(典型值)
  總功�(Ptot)�2.1 W
  封裝�(lèi)型:TO-263-3
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

PTVSHC1DF7VU 的主要特�(diǎn)是其�(jié)合了低導(dǎo)通電阻與高耐壓能力。它通過(guò)超級(jí)�(jié)技�(shù)�(shí)�(xiàn)了比傳統(tǒng)硅基功率 MOSFET 更高的能�,尤其在高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)突出�
  1. 高擊穿電壓(700V�,適用于多種高壓�(chǎng)景�
  2. 極低� Rds(on),減少傳�(dǎo)損��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,有效降低開(kāi)�(guān)損��
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間�
  5. �(nèi)� ESD 和雪崩保�(hù)功能,增�(qiáng)了系�(tǒng)可靠��
  此外,該器件還具備出色的熱穩(wěn)定性和抗電磁干擾能�,使其能夠適�(yīng)惡劣的工作環(huán)境�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):包括適配�、充電器和工�(yè)電源�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器:例如汽�(chē)電子中的電壓�(diào)節(jié)模塊�
  3. 太陽(yáng)能微型逆變器:用于將光伏電池產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流��
  4. LED �(qū)�(dòng)器:特別是在高亮� LED 照明系統(tǒng)��
  5. 家用電器:如空調(diào)、冰箱等需要高效功率控制的�(shè)備�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化:電機(jī)控制和其他大功率�(fù)載管��
  該器件憑借其高性能和穩(wěn)定�,成為眾多高壓應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇�

替代型號(hào)

IPD70N07P4L2A
  IPP070N0SC070N07NS3
  IXFN120N70T2

ptvshc1df7vu推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)