時間：2025/5/24 13:30:29
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GA1206A3R9CBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，專為高頻開關(guān)應用設計。該器件采用先進的半導體工藝制造，具備低導通電阻和快速開關(guān)速度的特點，適合用于電源管理、電機驅(qū)動以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場景。
該芯片通過優(yōu)化柵極電荷和輸出電容參數(shù)，顯著降低了開關(guān)損耗，從而提升了整體系統(tǒng)效率。此外，其堅固的設計和出色的熱性能也使其能夠在嚴苛的工作環(huán)境下穩(wěn)定運行。
型號：GA1206A3R9CBABT31G
類型：N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓（Vds）：120V
最大柵源電壓（Vgs）：±20V
連續(xù)漏極電流（Id）：6.4A
導通電阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，在Vgs=10V時）
柵極電荷（Qg）：17nC（典型值）
輸入電容（Ciss）：830pF（典型值）
反向恢復時間（trr）：30ns（典型值）
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
1. 高效低導通電阻，減少傳導損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)性能，適用于高頻應用環(huán)境。
3. 出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合在高功率密度場景中使用。
4. 緊湊的封裝設計，便于電路板布局和散熱管理。
5. 具備優(yōu)異的短路耐受能力，增強了器件的安全性。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且支持多種工業(yè)規(guī)范。
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率級開關(guān)。
2. 電機驅(qū)動和控制電路中的電子開關(guān)元件。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器及降壓/升壓模塊。
4. LED 驅(qū)動器和照明系統(tǒng)中的功率管理組件。
5. 各種電池充電器和能量存儲設備中的保護電路。
6. 工業(yè)自動化設備中的信號隔離與功率傳輸。
IRFZ44N, AO3400A, FDP5800
