FDN335N-NL是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,適用于各種功率�(zhuǎn)換和�(fù)載開�(guān)�(yīng)�。其小型化的封裝形式使其非常適合于空間受限的�(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏電流:4.7A
�(dǎo)通電阻:250mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
柵極-源極電壓:�20V
總功耗:1W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
FDN335N-NL采用了先�(jìn)的制造工�,具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)性能,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用需求�
3. 高度集成的小型SOT-23封裝,節(jié)省PCB板空��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能�
5. 具備出色的抗靜電能力(ESD保護(hù)),提高了器件的可靠��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
該MOSFET廣泛�(yīng)用于便攜式設(shè)�、消�(fèi)類電�、工�(yè)控制等領(lǐng)�。典型的�(yīng)用包括:
1. 手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開�(guān)�
2. USB充電器和適配器的同步整流電路�
3. LED�(qū)�(dòng)�. 各種便攜式設(shè)備中的電源管理模��
5. 電池保護(hù)電路以及小型電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
FDN338N, FDN340N, BSS138