GA1206A330FXLBP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC 轉換器等場景。該芯片采用先進的溝槽� MOSFET 技術制造,具備低導通電阻和高開關速度的特�,能夠有效降低功耗并提高效率�
型號:GA1206A330FXLBP31G
類型:N-channel MOSFET
封裝:LFPAK33
Vds(漏源電壓)�60V
Rds(on)(導通電阻)�3.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):33A
Vgs(柵源電壓):�20V
f(max)(最大工作頻率)�2MHz
功耗:典型� 1W
工作溫度范圍�-55� to +175�
GA1206A330FXLBP31G 具有以下顯著特性:
1. 低導通電� (Rds(on)),僅� 3.5mΩ,可顯著降低導通損耗�
2. 高電流承載能�,支持高� 33A 的連續(xù)漏極電流�
3. 高速開關性能,適合高頻應用環(huán)��
4. 寬工作溫度范�,適應極端環(huán)境條��
5. 小型化封� LFPAK33,有助于節(jié)� PCB 空間�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
7. �(nèi)置反向恢復二極管,優(yōu)化開關性能,減少能量損��
這款功率 MOSFET 主要應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS),如筆記本電腦適配器� LED 驅動電源�
2. DC-DC 轉換器中的同步整流電路�
3. 電機驅動控制,適用于無刷直流電機 (BLDC) 和步進電機�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載開��
5. 汽車電子系統(tǒng),如電動助力轉向 (EPS) 和電池管理系�(tǒng) (BMS)�
6. 可再生能源領域,例如太陽能逆變器中的功率轉換模��
IRF7404, AO6604, FDMQ8203