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RD16MW-T1B-A 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 18:28:44 查看 閱讀�23

RD16MW-T1B-A 是一款高性能� MOSFET �(qū)�(dòng)芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)控制等領(lǐng)�。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高效率以及良好的熱性能,能夠有效降低系�(tǒng)功耗并提高可靠性�
  其設(shè)�(jì)特點(diǎn)在于支持寬范圍輸入電�,內(nèi)置多重保�(hù)�(jī)制(如過流保�(hù)、過溫保�(hù)等),從而確保在�(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

型號(hào):RD16MW-T1B-A
  封裝形式:TO-252
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�16A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�40mΩ
  柵極電荷(Qg)�35nC
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  存儲(chǔ)溫度范圍�-65� � +150�

特�

1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)):僅為40mΩ,可顯著減少功率損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能力:支持高達(dá)16A的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)��
  3. 寬工作電壓范圍:最大漏源電壓為60V,滿足多種電路需��
  4. �(nèi)置多重保�(hù)功能:包括過流保�(hù)、短路保�(hù)及過溫關(guān)斷保�(hù),增�(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性和安全��
  5. 快速開�(guān)性能:較低的柵極電荷使開�(guān)速度更快,有助于減少開關(guān)損��
  6. �(yōu)異的熱性能:采用先�(jìn)的封裝技�(shù),提高了散熱效率,適合長(zhǎng)�(shí)間高�(fù)荷運(yùn)行環(huán)��
  7. 小型化設(shè)�(jì):TO-252封裝節(jié)省空間,便于布局和集成到緊湊型設(shè)備中�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS):用于高效DC-DC�(zhuǎn)換器或AC-DC適配��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制無刷直流電�(jī)(BLDC)或其他類型電機(jī)的啟�(dòng)、停止與�(diào)��
  3. LED照明:作為恒流源控制器以�(shí)�(xiàn)精確亮度�(diào)節(jié)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化:參與各種工業(yè)控制系統(tǒng)中的信號(hào)放大與負(fù)載切��
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:例如筆記本電腦適配器、平板充電器等便攜式�(shè)備內(nèi)部的�(guān)鍵組件�
  6. 通信基站:提供穩(wěn)定可靠的電源管理和信�(hào)處理功能�

替代型號(hào)

RD16MW-T1B-D, IRFZ44N, FDP18N06L

rd16mw-t1b-a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • 廠商
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