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HN1B01FDW1T1G 發(fā)布時間 時間�2023/3/3 16:24:40 查看 閱讀�386

    類別:分離式半導體產�

    家庭:晶體管(BJT) - 陣列

    系列�-

  

目錄

概述

    類別:分離式半導體產�

    家庭:晶體管(BJT) - 陣列

    系列�-

    晶體管類型:NPN, PNP

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�200mA

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�50V

    Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

    電流 - 集電極截止(最大)�2?A

    在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)�200 @ 2mA, 6V

    功率 - 最大:380mW

    頻率 - 轉換�-

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:SC-74-6

    包裝:帶� (TR)

    供應商設備封裝:SC-74

    其它名稱:HN1B01FDW1T1GOS


資料

廠商
ON Semiconductor

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hn1b01fdw1t1g參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN,PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)200mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 10mA�100mA / 300mV @ 10mA�100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)2µA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)200 @ 2mA�6V
  • 功率 - 最�380mW
  • 頻率 - 轉換-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74,SOT-457
  • 供應商設備封�SC-74
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱HN1B01FDW1T1GOS