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GA1206A1R2DXCBP31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 14:47:37 查看 閱讀�17

GA1206A1R2DXCBP31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的 GaN-on-Silicon 工藝制�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和高擊穿電壓等特性,適用� DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電、激光雷達以及電機驅(qū)動等�(lǐng)��
  由于其卓越的性能,GA1206A1R2DXCBP31G 在提升系�(tǒng)效率和減小體積方面表�(xiàn)出色,同時支持更高的工作頻率,能夠有效降低磁性元件的尺寸和成本�

參數(shù)

型號:GA1206A1R2DXCBP31G
  類型:增強型功率晶體�
  材料:氮化鎵 (GaN)
  �(dǎo)通電阻:40 mΩ
  漏源極耐壓�650 V
  最大漏極電流:12 A
  柵極閾值電壓:2.5 V
  開關(guān)頻率:高� 5 MHz
  封裝形式:DFN8

特�

GA1206A1R2DXCBP31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,提高整體效��
  2. 高擊穿電壓(650V)使其適合高壓應(yīng)用場景�
  3. 快速開�(guān)能力,支持高頻操作,從而減少無源元件的體積�
  4. �(nèi)� ESD 保護電路,增強器件的抗靜電能��
  5. 熱性能�(yōu)越,有助于實�(xiàn)高效的熱管理�
  6. 先進的 DFN8 封裝技�(shù),提供更小的占位面積和更低的寄生電感�
  7. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保�
  這些特點� GA1206A1R2DXCBP31G 成為�(xiàn)代電源管理系�(tǒng)中的理想選擇�

�(yīng)�

GA1206A1R2DXCBP31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器,用于服�(wù)�、通信�(shè)備和消費電子�(chǎn)品�
  2. 快速充電器和適配器,支� USB-PD �(xié)��
  3. 激光雷達系�(tǒng),滿足高精度和快速響�(yīng)的需��
  4. 無線充電解決方案,提供更高功率和效率�
  5. 電機�(qū)動和逆變器,用于工業(yè)自動化和電動��
  6. 可再生能源轉(zhuǎn)換器,例如太陽能微逆變器�
  該器件的高頻和高效特性使其在這些�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��

替代型號

GAN063-650WSA
  GAN064-650WSB
  TX GaN65R150K

ga1206a1r2dxcbp31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.2 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-