GA1206A1R2DXCBP31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的 GaN-on-Silicon 工藝制�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和高擊穿電壓等特性,適用� DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電、激光雷達以及電機驅(qū)動等�(lǐng)��
由于其卓越的性能,GA1206A1R2DXCBP31G 在提升系�(tǒng)效率和減小體積方面表�(xiàn)出色,同時支持更高的工作頻率,能夠有效降低磁性元件的尺寸和成本�
型號:GA1206A1R2DXCBP31G
類型:增強型功率晶體�
材料:氮化鎵 (GaN)
�(dǎo)通電阻:40 mΩ
漏源極耐壓�650 V
最大漏極電流:12 A
柵極閾值電壓:2.5 V
開關(guān)頻率:高� 5 MHz
封裝形式:DFN8
GA1206A1R2DXCBP31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,提高整體效��
2. 高擊穿電壓(650V)使其適合高壓應(yīng)用場景�
3. 快速開�(guān)能力,支持高頻操作,從而減少無源元件的體積�
4. �(nèi)� ESD 保護電路,增強器件的抗靜電能��
5. 熱性能�(yōu)越,有助于實�(xiàn)高效的熱管理�
6. 先進的 DFN8 封裝技�(shù),提供更小的占位面積和更低的寄生電感�
7. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保�
這些特點� GA1206A1R2DXCBP31G 成為�(xiàn)代電源管理系�(tǒng)中的理想選擇�
GA1206A1R2DXCBP31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器,用于服�(wù)�、通信�(shè)備和消費電子�(chǎn)品�
2. 快速充電器和適配器,支� USB-PD �(xié)��
3. 激光雷達系�(tǒng),滿足高精度和快速響�(yīng)的需��
4. 無線充電解決方案,提供更高功率和效率�
5. 電機�(qū)動和逆變器,用于工業(yè)自動化和電動��
6. 可再生能源轉(zhuǎn)換器,例如太陽能微逆變器�
該器件的高頻和高效特性使其在這些�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
GAN063-650WSA
GAN064-650WSB
TX GaN65R150K