IRFR7807ZTRPBF 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� PQFN 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其先�(jìn)的制造工藝確保了出色的熱性能和可靠��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�39A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�42nC
開關(guān)�(shí)間:ton=12ns, toff=23ns
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
IRFR7807ZTRPBF 具有非常低的�(dǎo)通電�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
此外,該器件還具備較高的漏極電流承載能力,使其適合于大功率應(yīng)用�
其快速的開關(guān)速度可以有效降低開關(guān)損�,從而在高頻操作中表�(xiàn)�(yōu)��
PQFN 封裝�(shè)�(jì)�(jìn)一步增�(qiáng)了散熱性能,同�(shí)節(jié)省了 PCB 空間�
由于采用了先�(jìn)的制造技�(shù),該功率 MOSFET 在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的工作性能�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)、逆變器以及電池保�(hù)電路等場��
它特別適合需要高效功率傳輸和快速動�(tài)響應(yīng)的應(yīng)用領(lǐng)��
憑借其出色的熱性能和高電流處理能力,IRFR7807ZTRPBF 也是工業(yè)自動化設(shè)備和汽車電子系統(tǒng)的理想選��
IRFR7807G, IRF7807