VND7NV04TR-E 是一款高性能、低導通電阻的 N 溝道邏輯電平增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。它適用于各種開關和功率管理應用,其�(yōu)化設計使得該器件能夠在高頻和高效率場景中表現(xiàn)出色。VND7NV04TR-E 的封裝形式為 TO-263 (D2PAK),這使其具備良好的散熱性能,并且易于集成到印刷電路板中�
VND7NV04TR-E 在消費電子、工�(yè)設備以及汽車電子等領域得到了廣泛應用,特別是在需要低導通損耗和快速開關速度的場��
最大漏源電�(Vds)�40V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�18A
脈沖漏極電流(Ip)�54A
導通電�(Rds(on))�4.5mΩ(在 Vgs=10V 時)
柵極電荷(Qg)�49nC
總電�(Ciss)�3220pF
開關時間:ton=22ns, toff=19ns
工作結溫范圍(Tj)�-55°C � +175°C
VND7NV04TR-E 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電� Rds(on),可以有效降低傳導損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 快速開關能力,適用于高頻開關應��
3. 較高的漏極電流承載能力,能夠支持大電流負��
4. 邏輯電平�(qū)動兼容�,簡化了與微控制器或�(shù)字信號處理器的接口設��
5. 高可靠性和耐用性,適合惡劣�(huán)境下的長期運��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛封��
VND7NV04TR-E 被廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. 電機�(qū)動和逆變器控��
3. 工業(yè)自動化設備中的功率開��
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換�
5. UPS 系統(tǒng)和電池管理系�(tǒng)中的保護和切換功��
6. 大功� LED �(qū)動和照明控制�
7. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和低損耗的應用場景�
VND7N04T-E, IRF7744Z, FDN337N