GA1206A150KBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,支持較高的工作電壓和較大的電流容�,廣泛用于需要高效能和高可靠性的電子�(shè)備中�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.18Ω
柵極電荷�45nC
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
GA1206A150KBEBR31G 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
2. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損�,提升整體效��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,可�(shí)�(xiàn)高頻操作,適用于�(kāi)�(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器�
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度條件下正常工��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便� PCB 布局和散熱管理�
該器件適用于多種電力電子�(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
3. DC-DC �(zhuǎn)換器
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 可再生能源逆變�
6. 家電及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率控制電�
IRF840,
STP16NF50,
FDP17N50,
IXYS IXFN50N120