2N7002K-T1-GE3 是一款由 General Electric (GE) 制造的 N 溝道增強型金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET�。它是一種小�、高效的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。該型號屬于 2N7002 系列 MOSFET,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特點,適用于信號切換和功率管理等場��
2N7002K-T1-GE3 的封裝形式為 TO-236(SOT-23 封裝�,使其非常適合空間受限的�(yīng)用場��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:200mA
導通電阻:1.8Ω
柵極電荷�4nC
工作溫度范圍�-55� � +150�
2N7002K-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 高開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
2. 低導通電阻,能夠減少功率損耗�
3. 小型 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間�
4. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)惡劣�(huán)��
5. 具有良好的靜電防護能力(ESD��
這些特性使該器件在便攜式設(shè)�、消費類電子�(chǎn)品以及工�(yè)控制等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色�
2N7002K-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. 電池保護電路�
3. 電機�(qū)動和負載切換�
4. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信號切��
5. 各種消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊�
其緊湊的封裝和高效性能使其成為許多�(shè)計工程師的理想選��
2N7002
BS170
IRLML2402
BSS138