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2N7002K-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 8:55:20 查看 閱讀�21

2N7002K-T1-GE3 是一款由 General Electric (GE) 制造的 N 溝道增強型金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET�。它是一種小�、高效的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。該型號屬于 2N7002 系列 MOSFET,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特點,適用于信號切換和功率管理等場��
  2N7002K-T1-GE3 的封裝形式為 TO-236(SOT-23 封裝�,使其非常適合空間受限的�(yīng)用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:200mA
  導通電阻:1.8Ω
  柵極電荷�4nC
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

2N7002K-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 高開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
  2. 低導通電阻,能夠減少功率損耗�
  3. 小型 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  4. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)惡劣�(huán)��
  5. 具有良好的靜電防護能力(ESD��
  這些特性使該器件在便攜式設(shè)�、消費類電子�(chǎn)品以及工�(yè)控制等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色�

�(yīng)�

2N7002K-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. 電池保護電路�
  3. 電機�(qū)動和負載切換�
  4. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信號切��
  5. 各種消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊�
  其緊湊的封裝和高效性能使其成為許多�(shè)計工程師的理想選��

替代型號

2N7002
  BS170
  IRLML2402
  BSS138

2n7002k-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

2n7002k-t1-ge3資料 更多>

  • 型號
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2n7002k-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C300mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 歐姆 @ 500mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds30pF @ 25V
  • 功率 - 最�350mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-236
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱2N7002K-T1-GE3-ND2N7002K-T1-GE3TR