GA0805A182JBABR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和射頻放大器等場景。該器件采用了先�(jìn)的增�(qiáng)� GaN 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和高效率的特�(diǎn),能夠顯著提升電力電子系�(tǒng)的性能�
與傳�(tǒng)的硅� MOSFET 相比,GA0805A182JBABR31G 提供了更低的開關(guān)損耗和更高的工作頻率,非常適合需要緊湊設(shè)�(jì)和高性能表現(xiàn)的應(yīng)用領(lǐng)��
型號(hào):GA0805A182JBABR31G
類型:GaN 功率晶體�
漏源電壓(Vds)�100V
連續(xù)漏極電流(Id)�8A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�18mΩ
柵極電荷(Qg)�6nC
反向傳輸電容(Crss)�49pF
封裝形式:TO-252(DPAK)
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0805A182JBABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) � 18mΩ,可有效降低傳導(dǎo)損耗�
2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá)�(shù) MHz 的開�(guān)頻率,適用于高頻�(yīng)��
3. �(nèi)置柵極驅(qū)�(dòng)保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的可靠性和�(wěn)定��
4. 具備�(yōu)異的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于系�(tǒng)集成�
6. 支持寬禁帶半�(dǎo)體技�(shù),提供更高的功率密度和效��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��
該芯片適用于以下�(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電路�
3. 射頻功率放大器和無線能量傳輸�(shè)��
4. 電動(dòng)汽車充電樁和車載充電��
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控制�
6. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中的快充適配器和高效電源模��
其高頻特性和高效率使其成為現(xiàn)代電力電子設(shè)�(jì)的理想選��
GAN061-650WSA
GAN1101-200E
IRGB4064DPBF