時間�2025/4/28 20:19:53
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FQB3N40是一款N溝道增強型功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。它通常被用于開關電�、DC-DC轉換器、電機驅動以及負載開關等應用�。這款MOSFET具有較低的導通電阻和較高的開關速度，能夠在高頻條件下保持高效的性能�
該器件采用TO-220封裝形式，能夠承受高�400V的漏源電�，并且具有較高的電流承載能力�
最大漏源電壓：400V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流�1.9A
導通電阻：2.8Ω
總功耗：65W
工作結溫范圍�-55� to 150�
FQB3N40具備以下顯著特性：
1. 高耐壓能力：支持高�400V的漏源電�，適合高壓應用環(huán)��
2. 較低的導通電阻：在典型工作條件下，導通電阻僅�2.8Ω，從而降低了導通損��
3. 快速開關特性：其設計確保了更短的開啟和關斷時間，適用于高頻開關場景�
4. 高可靠性：符合工業(yè)級標準，保證在惡劣環(huán)境下仍能�(wěn)定運��
5. 簡單驅動：由于其柵極閾值電壓適中，可以方便地由常見的邏輯電路或驅動芯片控制�
FQB3N40主要應用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）：
- 用于高效能量轉換的主開關元件�
2. DC-DC轉換器：
- 在降壓或升壓電路中作為開關元��
3. 電機驅動�
- 提供對直流電機的精確控制功能�
4. 負載開關�
- 在電池供電設備中實現(xiàn)快速負載切換�
5. 保護電路�
- 用作過流保護或短路保護的關鍵組件�
IRFZ44N
STP16NF06
FQP17N20
