IAUC120N04S6N010是一款基于硅基技�(shù)的MOSFET功率晶體�,廣泛應(yīng)用于電力電子�(lǐng)域。該型號(hào)為N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在滿足高效�、低功耗的�(yīng)用需�,如�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù)以優(yōu)化散熱性能和電氣特��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�120A
柵極閾值電壓:2V~4V
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
�(kāi)�(guān)�(shí)間:t_on=30ns,t_off=20ns
�(jié)溫范圍:-55℃~175�
封裝形式:TO-247
IAUC120N04S6N010具備非常低的�(dǎo)通電�,這有助于減少�(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。同�(shí),其快速的�(kāi)�(guān)特性使其非常適合高頻應(yīng)用環(huán)�。此�,該器件具有較高的雪崩耐量能力,從而增�(qiáng)了在�(guò)載或短路條件下的可靠��
該產(chǎn)品采用最新的芯片制造工藝,保證了出色的熱穩(wěn)定性和�(zhǎng)期使用的可靠�。內(nèi)置的ESD保護(hù)電路�(jìn)一步提升了器件的魯棒�。對(duì)于需要高效能量轉(zhuǎn)換和可靠�(yùn)行的工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備而言,這款MOSFET是一�(gè)理想的選��
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IAUC100N04S6N010
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