GA0603A150JBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝道增強型場效�(yīng)晶體管系�。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理�(lǐng)域中� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電機驅(qū)動等場景�
此器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,能夠在高頻工作條件下保持較低的功耗和較高的效�。其封裝形式�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�,能夠有效提升散熱性能,確保在高電流和高電壓環(huán)境下�(wěn)定運行�
型號:GA0603A150JBAAT31G
類型:N 溝道 MOSFET
最大漏源電� Vds�60V
最大柵源電� Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流 Id�38A(@25°C�
�(dǎo)通電� Rds(on)�1.5mΩ(典型�,@Vgs=10V�
柵極電荷 Qg�49nC(典型值)
反向恢復(fù)時間 trr�17ns(典型值)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263-3
GA0603A150JBAAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用場合�
3. 強大的電流承載能�,支持高�(dá) 38A 的連續(xù)漏極電流�
4. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�
5. �(wěn)定的電氣性能,即使在高溫條件下也能保持良好的工作狀�(tài)�
6. 封裝�(shè)計緊湊且具備�(yōu)良的散熱能力,便于集成到小型化設(shè)計中�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛了多項�(yán)格的測試和認(rèn)�,確保在實際�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的可靠性和�(wěn)定性�
GA0603A150JBAAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元��
2. 電動工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)動電��
3. 汽車電子系統(tǒng),例如電池管理系�(tǒng) (BMS)、發(fā)動機控制單元 (ECU) 和車載充電器�
4. 通信�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
由于其出色的性能指標(biāo)和可靠性,這款 MOSFET 在需要高效能量轉(zhuǎn)換和精確電流控制的應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出�
GA0603A150JBAAH31G, IRF3710, FDP150AN6S