CEU16N10L是一款基于氮化鎵(GaN)技術的增強型功率場效應晶體管(e-mode GaN HEMT�。該器件采用先進的GaN-on-Si工藝制�,具有低導通電�、高開關速度和高頻性能�(yōu)異的特點。其設計主要針對高效率電源轉換應用,例如DC-DC轉換器、逆變�、快充適配器等場景。此器件通常以表面貼裝封裝形式提�,適合自動化生產�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�16A
導通電阻(典型值)�7mΩ
柵極電荷�35nC
輸入電容�2200pF
開關頻率:高�5MHz
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:LFPAK8
CEU16N10L具備非常低的導通電阻和柵極電荷,從而實現了高效的功率轉換以及更小的熱量產生�
由于其高頻性能�(yōu)越,可以顯著減少無源元件(如電感和電容)的尺�,從而縮小整體電路板面積�
該器件還具有快速開關能�,能夠降低開關損�,并支持更高的功率密度設��
此外,它內置了ESD保護功能,提高了系統(tǒng)可靠性�
GaN材料的使用使得該器件能夠在高溫條件下�(wěn)定運�,同時保持較低的熱阻�
CEU16N10L廣泛應用于消費電子和工業(yè)領域中的高效電源轉換解決方案�
具體應用包括USB PD快充適配�、筆記本電腦充電器、服務器電源、通信電源、電機驅動器以及分布式電源系�(tǒng)等�
在這些應用場景�,CEU16N10L通過提供更高的效率和功率密度,幫助客戶實現更緊湊、更輕便的產品設��
CEU14N10L, CEU18N10L