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G709T1UF 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 11:08:14 查看 閱讀�23

G709T1UF是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻和高功率�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電以及射頻放大器等場�。G709T1UF采用表面貼裝封裝形式,便于自動化生產(chǎn)和焊�,同時具備良好的散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�9A
  �(dǎo)通電阻:120mΩ
  柵極電荷�65nC
  開關(guān)頻率:高�(dá)5MHz
  工作溫度范圍�-40℃至+125�
  封裝形式:TO-252

特�

G709T1UF的核心優(yōu)勢在于其使用了先�(jìn)的氮化鎵材料,這使得器件在高頻�(yùn)行時依然保持高效和低損��
  1. 高開�(guān)速度:由于氮化鎵的寬帶隙特性,G709T1UF能夠?qū)崿F(xiàn)比傳�(tǒng)硅基MOSFET更高的開�(guān)頻率,從而減小無源元件的尺寸并提高系�(tǒng)效率�
  2. 低導(dǎo)通電阻:相比同類�(chǎn)�,G709T1UF的導(dǎo)通電阻更�,降低了傳導(dǎo)損�,特別適合大電流�(yīng)��
  3. 緊湊�(shè)�(jì):其表貼封裝節(jié)省了PCB空間,并且支持高效的熱管理�
  4. �(qiáng)大的可靠性:即使在惡劣環(huán)境下,如高溫或高頻操作條件下,該器件仍能提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�

�(yīng)�

G709T1UF適用于多種高性能電力電子�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS):例如AC-DC適配器和USB-PD快充��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:包括電動汽車車載充電器和數(shù)�(jù)中心供電模塊�
  3. 射頻功率放大器:用于基站和其他通信�(shè)��
  4. 無線能量傳輸:支持高效的大功率無線充電方案�
  5. 工業(yè)�(qū)動器:如電機(jī)控制和逆變器系�(tǒng)�

替代型號

G809T1UF
  G709T2UF

g709t1uf推薦供應(yīng)� 更多>

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