MAZ80680ML是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效能功率晶體�,由Macom公司�(shè)�(jì)生產(chǎn)。該器件專為高頻、高功率射頻�(yīng)用而優(yōu)化,適用于雷�(dá)、通信基站以及電子�(zhàn)等高性能�(lǐng)域。其采用了先�(jìn)的GaAs和GaN半導(dǎo)體工�,確保了在高頻工作下的低損耗和高效�。此外,它還具備出色的線性度和增益特�,能夠滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)�(duì)寬帶和大�(dòng)�(tài)范圍的需求�
該芯片的工作頻率范圍較寬,通常覆蓋從幾十MHz到數(shù)GHz的范圍,具體取決于應(yīng)用需�。其封裝形式多為金屬殼體封裝,以增強(qiáng)散熱性能并提高可靠��
最大輸出功率:40W
增益�15dB
工作頻率范圍�800MHz - 6GHz
飽和漏極電流�3A
擊穿電壓�100V
輸入匹配阻抗�50Ω
輸出匹配阻抗�50Ω
功耗:50W
封裝類型:MCLP-9L
MAZ80680ML的主要特性包括:
1. 高效的功率轉(zhuǎn)換能力,在高頻段下保持較低的熱耗散�
2. 線性度表現(xiàn)�(yōu)秀,適用于�(fù)雜的�(diào)制信�(hào)傳輸�(huán)境�
3. �(nèi)置匹配網(wǎng)�(luò),簡(jiǎn)化外部電路設(shè)�(jì),減少外圍元件數(shù)��
4. 支持脈沖模式�(yùn)�,適合雷�(dá)及電子對(duì)抗設(shè)備的�(yīng)用�
5. 耐用性強(qiáng),能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定工作,如高溫或�(qiáng)電磁干擾�(chǎng)��
6. 具備快速開(kāi)�(guān)速度,保證了高帶寬性能�
7. GaN材料固有的高電子遷移率和高擊穿場(chǎng)�(qiáng)使其成為高功率密度的理想選擇�
MAZ80680ML廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 雷達(dá)系統(tǒng)中的�(fā)射模�,提供高功率射頻信號(hào)輸出�
2. �(wú)線通信基礎(chǔ)�(shè)�,例如蜂窩基站放大器�
3. �(wèi)星通信終端,作為上行鏈路功率放大器的核心組��
4. �(yī)療成像設(shè)備中的超聲波�(fā)射器�
5. 工業(yè)加熱與焊接設(shè)備中的射頻電源�
6. 軍事用�,如電子�(duì)抗設(shè)備和�(dǎo)航系�(tǒng)的功率放大器部分�
MAGX-000400-12-GN
MAT1234567890
RFPA80680XL