FQU12N20L 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,屬� Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)推出的 FQ 系列。該器件采用先進的制造工藝設計,具有低導通電阻和快速開關特�,適用于各種高效能功率轉換應�。其封裝形式� TO-252 (DPAK),適合表面貼裝技� (SMT)。此芯片能夠承受高達 200V 的漏源電�,并且在不同工作條件下保持穩(wěn)定的性能�
最大漏源電壓:200V
最大連續(xù)漏極電流�6.8A
導通電阻(典型�,Vgs=10V):0.32Ω
柵極電荷�14nC
總電容:330pF
最大功耗:1.4W
工作結溫范圍�-55� � +150�
FQU12N20L 的主要特點是其具備極低的導通電�,從而減少傳導損耗并提高整體效率�
該器件的快速開關能力使其非常適合高頻應用環(huán)境,例如 DC-DC 轉換�、電機驅動電路以及負載切換等場景�
FQU12N20L 還擁有良好的熱穩(wěn)定性和抗雪崩能�,這使得它能夠在惡劣的工作條件下保持可靠運��
此外,其緊湊� DPAK 封裝也簡化了 PCB 設計并節(jié)省空間�
這款功率 MOSFET 廣泛應用于多種領�,包括但不限于:
- 開關模式電源 (SMPS)
- DC-DC 轉換�
- 電池管理系統(tǒng) (BMS)
- 電機控制與驅�
- 各類工業(yè)自動化設備中的負載切�
- 消費類電子產品中的電源管理模�
IRFZ44N
STP12NF06
FDP15U20A
AO3400