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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FQU12N20L

FQU12N20L 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 18:09:52 查看 閱讀�19

FQU12N20L 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,屬� Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)推出的 FQ 系列。該器件采用先進的制造工藝設計,具有低導通電阻和快速開關特�,適用于各種高效能功率轉換應�。其封裝形式� TO-252 (DPAK),適合表面貼裝技� (SMT)。此芯片能夠承受高達 200V 的漏源電�,并且在不同工作條件下保持穩(wěn)定的性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  最大連續(xù)漏極電流�6.8A
  導通電阻(典型�,Vgs=10V):0.32Ω
  柵極電荷�14nC
  總電容:330pF
  最大功耗:1.4W
  工作結溫范圍�-55� � +150�

特�

FQU12N20L 的主要特點是其具備極低的導通電�,從而減少傳導損耗并提高整體效率�
  該器件的快速開關能力使其非常適合高頻應用環(huán)境,例如 DC-DC 轉換�、電機驅動電路以及負載切換等場景�
  FQU12N20L 還擁有良好的熱穩(wěn)定性和抗雪崩能�,這使得它能夠在惡劣的工作條件下保持可靠運��
  此外,其緊湊� DPAK 封裝也簡化了 PCB 設計并節(jié)省空間�

應用

這款功率 MOSFET 廣泛應用于多種領�,包括但不限于:
  - 開關模式電源 (SMPS)
  - DC-DC 轉換�
  - 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  - 電機控制與驅�
  - 各類工業(yè)自動化設備中的負載切�
  - 消費類電子產品中的電源管理模�

替代型號

IRFZ44N
  STP12NF06
  FDP15U20A
  AO3400

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