MMUN2111T1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),由 MACOM 公司生產(chǎn)。該器件具有高頻、高效和高功率密度的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于射頻和微波通信系統(tǒng)��
它采用表面貼裝封�,適合自�(dòng)化裝配工藝。得益于 GaN 的優(yōu)異性能,MMUN2111T1G 在高頻工作條件下表現(xiàn)出極低的�(dǎo)通電阻和高擊穿電壓,使其成為�(xiàn)代無線基�(chǔ)�(shè)施的理想選擇�
型號(hào):MMUN2111T1G
類型:GaN HEMT
封裝:SMD
頻率范圍:DC � 6 GHz
輸出功率�40 W(典型值)
增益�13 dB(典型值)
效率�55%(典型值)
最大漏源電壓:50 V
最大柵源電壓:±7 V
�(dǎo)通電阻:� 0.1 Ω
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
MMUN2111T1G 的主要特性包括:
1. 高功率密度:由于采用了先�(jìn)� GaN 工藝,能夠在較小尺寸下提供高功率輸出�
2. 寬帶性能:支持從 DC � 6 GHz 的寬頻率范圍,適用于多種射頻�(yīng)��
3. 高效率:在高頻工作條件下仍能保持較高的能量轉(zhuǎn)換效�,降低散熱需��
4. 低熱阻:�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)有助于快速散�,提升可靠性�
5. �(wěn)定性:即使在極端溫度環(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
6. 易于集成:表面貼裝封裝簡化了 PCB �(shè)�(jì)和裝配流��
MMUN2111T1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 射頻功率放大器:用于基站、雷�(dá)和其他通信�(shè)備�
2. 微波通信系統(tǒng):支持點(diǎn)�(duì)�(diǎn)和點(diǎn)�(duì)多點(diǎn)通信�
3. 無線基礎(chǔ)�(shè)施:滿足 4G � 5G �(wǎng)�(luò)�(duì)高性能功率放大器的需��
4. 軍事與航空航天:適用于需要高可靠性和高頻性能的應(yīng)用場景�
5. �(cè)試與�(cè)量:為信�(hào)�(fā)生器和頻譜分析儀等設(shè)備提供穩(wěn)定的功率輸出�
MMUT001012M
MMPT2112S
MMPF1912S