FQD3N30是一款N溝道增強型功率MOSFET,主要應用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等�(lǐng)�。該器件采用TO-252封裝形式,具有較低的導通電阻和較高的開�(guān)速度,適合需要高效能和低損耗的應用場景�
這款MOSFET在設計上注重了優(yōu)化柵極電荷和輸出電容參數(shù),從而降低了開關(guān)損�,并且其出色的熱性能保證了長期運行中的穩(wěn)定性�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻:9mΩ
柵源開啟電壓�2.1V
總柵極電荷:47nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� to 150�
FQD3N30具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可以有效減少傳導損��
2. 快速的開關(guān)速度,適用于高頻應用�(huán)��
3. 高度�(wěn)定的電氣性能,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持一致的表現(xiàn)�
4. 低柵極電荷(Qg�,有助于降低�(qū)動功耗�
5. TO-252封裝形式,提供良好的散熱性能同時便于安裝和使用�
FQD3N30廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
4. 電機控制與驅(qū)�
5. 各類工業(yè)自動化設�
6. 汽車電子中的負載開關(guān)和保護電�
由于其高性能參數(shù)和可靠�,它在高效率和高功率密度的設計中表現(xiàn)尤為突出�
IRF3710
STP18NF06L
FDP18N06L