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FQD3N30 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 19:07:35 查看 閱讀�26

FQD3N30是一款N溝道增強型功率MOSFET,主要應用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等�(lǐng)�。該器件采用TO-252封裝形式,具有較低的導通電阻和較高的開�(guān)速度,適合需要高效能和低損耗的應用場景�
  這款MOSFET在設計上注重了優(yōu)化柵極電荷和輸出電容參數(shù),從而降低了開關(guān)損�,并且其出色的熱性能保證了長期運行中的穩(wěn)定性�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�18A
  導通電阻:9mΩ
  柵源開啟電壓�2.1V
  總柵極電荷:47nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

FQD3N30具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可以有效減少傳導損��
  2. 快速的開關(guān)速度,適用于高頻應用�(huán)��
  3. 高度�(wěn)定的電氣性能,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持一致的表現(xiàn)�
  4. 低柵極電荷(Qg�,有助于降低�(qū)動功耗�
  5. TO-252封裝形式,提供良好的散熱性能同時便于安裝和使用�

應用

FQD3N30廣泛應用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  4. 電機控制與驅(qū)�
  5. 各類工業(yè)自動化設�
  6. 汽車電子中的負載開關(guān)和保護電�
  由于其高性能參數(shù)和可靠�,它在高效率和高功率密度的設計中表現(xiàn)尤為突出�

替代型號

IRF3710
  STP18NF06L
  FDP18N06L

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