IDT7025S55GB 是一款由 IDT(Integrated Device Technology)公司生產(chǎn)的高性能 CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM),采用 55ns 的快速訪問時間設計。該芯片廣泛應用于需要高速數(shù)據(jù)讀寫和低功耗特性的場景,例如網(wǎng)絡設備、工業(yè)控制、通信系統(tǒng)以及測試測量儀器等。其高可靠性、低功耗和快速響應使其成為許多實時應用的理想選擇。
IDT7025 系列 SRAM 提供了高達 2Mbit 的存儲容量,并以組織形式為 262,144 x 8 的結(jié)構實現(xiàn)。它支持標準的同步接口協(xié)議,能夠與各種微處理器和控制器無縫集成。
存儲容量:2Mbit
組織形式:262,144 x 8
訪問時間:55ns
工作電壓:3.3V ± 0.3V
封裝類型:44 引腳 TSOP II
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
數(shù)據(jù)保持時間:無限(在電源供電情況下)
數(shù)據(jù)刷新:無需刷新(靜態(tài)存儲器)
IDT7025S55GB 具有以下顯著特點:
1. 高速操作能力,55ns 的快速訪問時間滿足大多數(shù)實時系統(tǒng)的性能需求。
2. 低功耗設計,尤其在待機模式下表現(xiàn)出色,適用于對能效敏感的應用。
3. 靜態(tài)存儲技術確保數(shù)據(jù)不會因斷電而丟失,同時無需像動態(tài) RAM 一樣進行周期性刷新。
4. 支持突發(fā)模式傳輸,提高連續(xù)讀寫操作的效率。
5. 可靠的單字節(jié)和雙字節(jié)寫入功能,提供靈活的數(shù)據(jù)管理方式。
6. 完全同步接口,簡化與現(xiàn)代微處理器或 FPGA 的連接過程。
7. 高密度存儲,2Mbit 的大容量適合復雜系統(tǒng)中的緩存或緩沖區(qū)使用。
IDT7025S55GB 在多個領域中發(fā)揮重要作用:
1. 網(wǎng)絡通信設備,如路由器、交換機和網(wǎng)關中的數(shù)據(jù)包緩存。
2. 工業(yè)自動化系統(tǒng)中的臨時數(shù)據(jù)存儲。
3. 醫(yī)療成像設備中的圖像處理緩存。
4. 測試測量儀器中的高速數(shù)據(jù)采集和暫存。
5. 嵌入式系統(tǒng)中的程序運行空間擴展。
6. 多媒體應用中的音視頻流緩沖。
由于其卓越的速度和穩(wěn)定性,該芯片特別適合需要頻繁訪問大量數(shù)據(jù)的應用環(huán)境。
IDT7025S70GB
IDT7025S60GB
IDT7125S55GB