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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTMFS6B03NT1G

NTMFS6B03NT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 16:04:17 查看 閱讀�23

NTMFS6B03NT1G是一款來(lái)自O(shè)N Semiconductor(安森美)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于要求高效能和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式為TO-263-3(D2PAK�,有助于提高散熱性能�

參數(shù)

型號(hào):NTMFS6B03NT1G
  品牌:ON Semiconductor
  類型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源極電壓):60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�3.8mΩ(典型值,VGS=10V�(shí)�
  ID(連續(xù)漏極電流):57A
  VGS(柵源極電壓):±20V
  fT(特征頻率)�4.6MHz
  封裝:TO-263-3(D2PAK�

特�

NTMFS6B03NT1G具有出色的電氣性能,包括低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)能力�
  低RDS(on)能夠顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  高電流承載能力使其適合大功率�(yīng)��
  其D2PAK封裝�(shè)�(jì)提供良好的熱性能和電氣連接,有助于在高功耗場(chǎng)景中保持�(wěn)定運(yùn)��
  此外,該器件還具備較高的雪崩擊穿能力和ESD保護(hù)性能,提高了整體的可靠性和耐用性�

�(yīng)�

NTMFS6B03NT1G廣泛�(yīng)用于需要高性能功率�(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)操作的領(lǐng)��
  常見(jiàn)�(yīng)用場(chǎng)景包括DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電池保�(hù)電路以及各類工業(yè)電源管理方案�
  由于其高電流處理能力和低損耗特性,也適用于電動(dòng)汽車(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)中的某些功率模��
  另外,它還可用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品的適配器和充電器設(shè)�(jì),以滿足�(duì)效率和緊湊性的�(yán)格要��

替代型號(hào)

NTMFS6B03N, FDP5800, IRF3205

ntmfs6b03nt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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ntmfs6b03nt1g資料 更多>

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ntmfs6b03nt1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)19A(Ta��132A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)4.8 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)58 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)4200 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.4W(Ta��165W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�5-DFN�5x6)(8-SOFL�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN�5 引線