NTMFS6B03NT1G是一款來(lái)自O(shè)N Semiconductor(安森美)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于要求高效能和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式為TO-263-3(D2PAK�,有助于提高散熱性能�
型號(hào):NTMFS6B03NT1G
品牌:ON Semiconductor
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�3.8mΩ(典型值,VGS=10V�(shí)�
ID(連續(xù)漏極電流):57A
VGS(柵源極電壓):±20V
fT(特征頻率)�4.6MHz
封裝:TO-263-3(D2PAK�
NTMFS6B03NT1G具有出色的電氣性能,包括低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)能力�
低RDS(on)能夠顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
高電流承載能力使其適合大功率�(yīng)��
其D2PAK封裝�(shè)�(jì)提供良好的熱性能和電氣連接,有助于在高功耗場(chǎng)景中保持�(wěn)定運(yùn)��
此外,該器件還具備較高的雪崩擊穿能力和ESD保護(hù)性能,提高了整體的可靠性和耐用性�
NTMFS6B03NT1G廣泛�(yīng)用于需要高性能功率�(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)操作的領(lǐng)��
常見(jiàn)�(yīng)用場(chǎng)景包括DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電池保�(hù)電路以及各類工業(yè)電源管理方案�
由于其高電流處理能力和低損耗特性,也適用于電動(dòng)汽車(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)中的某些功率模��
另外,它還可用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品的適配器和充電器設(shè)�(jì),以滿足�(duì)效率和緊湊性的�(yán)格要��
NTMFS6B03N, FDP5800, IRF3205