FQB5N60CTM-WS是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。這款器件主要用于開關電源、DC-DC轉換器、電機驅動以及各類工�(yè)應用�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠在高頻工作條件下提供高效的性能表現�
該器件由Fairchild Semiconductor(現為ON Semiconductor的一部分)制�,廣泛應用于需要高效能和低功耗的場景�
最大漏源電壓:600V
最大連續(xù)漏極電流�5.3A
最大脈沖漏極電流:14.9A
導通電阻(典型值)�1.2Ω
柵極閾值電壓:4V
最大功耗:180W
結溫范圍�-55℃至+150�
FQB5N60CTM-WS具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力,最大漏源電壓可�600V,適合高壓應用環(huán)��
2. 低導通電阻設計,有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開關特性,支持高頻操作,適用于開關電源及高頻逆變器等應用�
4. 內置齊納二極管保護功能,有效防止柵極過壓損壞�
5. 熱穩(wěn)定性良�,在較寬的溫度范圍內能夠保持可靠的性能表現�
6. TO-220封裝形式,便于散熱管�,適合多種應用場景�
FQB5N60CTM-WS適用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 電機驅動與控�
4. 工業(yè)自動化設備中的功率控�
5. 汽車電子系統(tǒng)的輔助功率模�
6. 各類需要高�、高效功率切換的應用場景
FQD17N60C, FQA16N60C