AONS66612 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor(萬代半導體)生�(chǎn)� N 沃特 (N-Channel) 功率 MOSFET。該器件采用先進的 Trench 工藝制造,具有低導通電阻和高開�(guān)效率的特�,適用于多種電源管理�(yīng)�。AONS66612 的封裝形式為 SOIC-8 封裝,適合表面貼裝技�(shù) (SMT),能夠提供優(yōu)異的電氣性能和熱性能�
該功� MOSFET 主要用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電池管�、電機驅(qū)動等�(yīng)用場合。其卓越的電氣特性使其成為高性能電源�(shè)計的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�9.1A
導通電阻:1.7mΩ
柵極電荷�35nC
功耗:1.4W
工作溫度范圍�-55� � 150�
AONS66612 提供了極低的導通電� Rds(on),僅� 1.7mΩ,這有助于顯著降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
此外,它還具備較低的柵極電荷 Qg 和輸出電� Coss,從而提高了開關(guān)速度并降低了開關(guān)損��
該器件的工作�(jié)溫范圍寬�,能夠在 -55� � 150� 的極端條件下�(wěn)定運行�
AONS66612 使用緊湊� SOIC-8 封裝,便于在空間受限的應(yīng)用中部署�
通過�(yōu)化的溝槽�(jié)�(gòu)�(shè)�,該功率 MOSFET 在動�(tài)和靜�(tài)性能上都表現(xiàn)出色,非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
AONS66612 廣泛�(yīng)用于消費類電�、通信�(shè)備以及工�(yè)�(lǐng)域中的各種電源管理解決方案�
具體�(yīng)用包括:
- 開關(guān)模式電源 (SMPS)
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電池保護電路
- 電機�(qū)動與控制
- 各種負載開關(guān)�(yīng)�
由于其高效的開關(guān)性能和低導通損�,該器件非常適合需要高性能功率�(zhuǎn)換的場景�
AOSS1002N, FDP5501