FNR6045S330MT 是一款高性能� SiC(碳化硅)MOSFET 功率器件,廣泛應(yīng)用于高頻、高效能電力電子�(zhuǎn)換系�(tǒng)中。該芯片采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)頻率的特�(diǎn),適用于工業(yè)電源、電�(dòng)汽車充電�(shè)備以及太陽能逆變器等�(lǐng)��
這款功率 MOSFET 的額定電壓為 600V,并且具備出色的熱性能和電氣性能。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dòng)�(tài)特性和靜態(tài)特�,以滿足�(xiàn)代功率變換應(yīng)用對(duì)效率和可靠性的�(yán)格要��
型號(hào):FNR6045S330MT
類型:SiC MOSFET
額定電壓�600V
額定電流�45A
�(dǎo)通電阻:33mΩ(典型值)
最大工作溫度范圍:-55°C � +175°C
柵極閾值電壓:2.5V - 4.5V
總柵極電荷:80nC(典型值)
反向恢復(fù)�(shí)間:無反向恢�(fù)電流(由于是 SiC 材料�
FNR6045S330MT 屬于碳化� MOSFET 類型,相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET 具有顯著�(yōu)�(shì)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻使得導(dǎo)通損耗大幅降�,從而提高了系統(tǒng)的整體效��
2. 支持更高的開�(guān)頻率,這允許使用更小尺寸的磁性元�,�(jìn)而減少整�(gè)系統(tǒng)的體積和重量�
3. 高溫操作能力使器件能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行,同時(shí)�(jiǎn)化了散熱�(shè)�(jì)�
4. 快速開�(guān)速度有效減少了開�(guān)損�,�(jìn)一步提升了效率�
5. �(nèi)置反并聯(lián)二極管結(jié)�(gòu),消除了傳統(tǒng) IGBT 或硅 MOSFET 中的反向恢復(fù)問題,從而降低了電磁干擾 (EMI) 和噪聲水��
該芯片適用于多種高性能�(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(jí) DC-DC �(zhuǎn)換器� AC-DC 開關(guān)電源
2. 電動(dòng)車輛車載充電� (OBC)
3. 太陽能光伏微型逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
5. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)
6. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源供�(yīng)模塊
7. 高頻諧振變換器設(shè)�(jì)
FNR6045S330MT 的卓越性能使其成為上述�(lǐng)域中�(guān)鍵功率處理組件的理想選擇�
FNR6045S330MLT,FNR6040S330MT