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PSMN1R1-30PL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 10:11:36 查看 閱讀�22

PSMN1R1-30PL 是一款由 NXP(恩智浦)生�(chǎn)的功� MOSFET,屬� PSM 系列。該器件采用邏輯電平柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電源管理�(yīng)用,� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)��
  PSMN1R1-30PL 使用了先�(jìn)的制造工�,確保其在高效率和高性能方面表現(xiàn)�(yōu)異,同時(shí)保持較低的熱損耗。它的封裝形式為 SO8(Small Outline�,這種封裝提供了良好的散熱性能和緊湊的尺寸,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�

參數(shù)

型號(hào):PSMN1R1-30PL
  類型:N-Channel MOSFET
  封裝:SO8
  最大漏源電�(Vds)�30V
  連續(xù)漏極電流(Id)�42A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.1mΩ(典型值,Vgs=10V�
  柵極電荷(Qg)�39nC
  總功�(Ptot)�32W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

PSMN1R1-30PL 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),能夠有效降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,支持高�(dá) 42A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)性能,得益于低柵極電� Qg 和優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�
  4. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  5. 小型 SO8 封裝,節(jié)� PCB 空間的同�(shí)提供良好的散熱性能�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  7. 邏輯電平兼容,便于與�(biāo)�(zhǔn)控制器或微處理器接口連接�

�(yīng)�

PSMN1R1-30PL 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開�(guān)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的�(fù)載開�(guān)�
  4. 電信�(shè)備中的電源轉(zhuǎn)換模��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)功能�
  6. 任何需要高效功率開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�,例� LED �(qū)�(dòng)器和太陽能逆變��

替代型號(hào)

PSMN022-30PL, PSMN0R9-30PL, IRF3205

psmn1r1-30pl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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