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時(shí)間：2025/5/29 13:57:51
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FN31N333J500EPG 是一款 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），主要用于開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。
該型號(hào)適合在高頻開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的應(yīng)用中使用。
類型：N溝道MOSFET
Vds（漏源電壓）：330V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：250mΩ
Id（連續(xù)漏極電流）：11A
Vgs(th)（柵極閾值電壓）：4V
f(switching)（最大開關(guān)頻率）：500kHz
Qg（總柵極電荷）：28nC
EAS（雪崩能量）：1.2J
Tj（結(jié)溫范圍）：-55℃至+175℃
FN31N333J500EPG 具有以下關(guān)鍵特性：
1. 高擊穿電壓 (330V)，適用于高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 低導(dǎo)通電阻 (250mΩ)，減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
3. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，確保在高溫環(huán)境下可靠運(yùn)行。
4. 快速開關(guān)能力，支持高達(dá) 500kHz 的開關(guān)頻率，降低電磁干擾 (EMI)。
5. 內(nèi)置雪崩保護(hù)功能，增強(qiáng)器件的耐用性。
6. 小巧的封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省 PCB 空間。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。
這款 MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制電路。
4. 電池充電器及保護(hù)電路。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊。
6. LED 驅(qū)動(dòng)器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的電子系統(tǒng)。
STP110N33FP,
IRF540N,
FDP15U30A,
IXTH11N330P
