NIS5112D2R2G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體� (Power FET),由 Navitas Semiconductor 生產(chǎn)。該器件專為高效�、高頻應(yīng)用設(shè)�(jì),采� GaNFast 技�(shù)以實(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度和更高的功率密度。它通常被用于消�(fèi)電子�(shè)備中的快速充電器、適配器以及其他電源�(zhuǎn)換系�(tǒng)��
該型�(hào)采用� DFN 封裝形式,能夠顯著減少寄生電感并�(yōu)化散熱性能,從而提升整體系�(tǒng)效能。此�,由于其�(nèi)置驅(qū)�(dòng)器與保護(hù)功能,可以簡化電路設(shè)�(jì)并降� BOM 成本�
型號(hào):NIS5112D2R2G
類型:增�(qiáng)型氮化鎵功率�(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
工作電壓�600V
�(dǎo)通電阻:2.2Ω(典型�,在 25°C 下測(cè)量)
柵極�(qū)�(dòng)電壓�5V � 18V
最大漏極電流:9A(脈沖條件)
封裝形式:DFN-8 (3x3mm)
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
NIS5112D2R2G 的主要特�(diǎn)是其高性能和集成度�
1. 基于先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),提供比傳統(tǒng)� MOSFET 更高的效率和更小的尺��
2. �(nèi)置驅(qū)�(dòng)�,無需外部�(qū)�(dòng)電路,可直接� PWM 控制信號(hào)�(qū)�(dòng)�
3. 快速開�(guān)速度支持 MHz �(jí)別的工作頻率,適用于高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
4. 具備短路保護(hù)和過溫保�(hù)功能,提高系�(tǒng)的可靠性和安全��
5. 低寄生電感的封裝�(shè)�(jì)�(jìn)一步優(yōu)化了高頻性能和熱管理能力�
6. 可在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定性能�
這款 GaN 功率器件非常適合以下�(yīng)用場(chǎng)景:
1. USB-PD 快速充電器和適配器�
2. 開關(guān)電源(SMPS)和 AC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效能電源模塊�
5. 工業(yè)及通信�(lǐng)域的緊湊型電源解決方案�
6. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高效率、小型化�(shè)�(jì)的電力電子設(shè)��
NIS6015B2R2G, NCP4306