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NIS5112D2R2G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 10:42:01 查看 閱讀�20

NIS5112D2R2G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體� (Power FET),由 Navitas Semiconductor 生產(chǎn)。該器件專為高效�、高頻應(yīng)用設(shè)�(jì),采� GaNFast 技�(shù)以實(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度和更高的功率密度。它通常被用于消�(fèi)電子�(shè)備中的快速充電器、適配器以及其他電源�(zhuǎn)換系�(tǒng)��
  該型�(hào)采用� DFN 封裝形式,能夠顯著減少寄生電感并�(yōu)化散熱性能,從而提升整體系�(tǒng)效能。此�,由于其�(nèi)置驅(qū)�(dòng)器與保護(hù)功能,可以簡化電路設(shè)�(jì)并降� BOM 成本�

參數(shù)

型號(hào):NIS5112D2R2G
  類型:增�(qiáng)型氮化鎵功率�(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
  工作電壓�600V
  �(dǎo)通電阻:2.2Ω(典型�,在 25°C 下測(cè)量)
  柵極�(qū)�(dòng)電壓�5V � 18V
  最大漏極電流:9A(脈沖條件)
  封裝形式:DFN-8 (3x3mm)
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C

特�

NIS5112D2R2G 的主要特�(diǎn)是其高性能和集成度�
  1. 基于先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),提供比傳統(tǒng)� MOSFET 更高的效率和更小的尺��
  2. �(nèi)置驅(qū)�(dòng)�,無需外部�(qū)�(dòng)電路,可直接� PWM 控制信號(hào)�(qū)�(dòng)�
  3. 快速開�(guān)速度支持 MHz �(jí)別的工作頻率,適用于高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  4. 具備短路保護(hù)和過溫保�(hù)功能,提高系�(tǒng)的可靠性和安全��
  5. 低寄生電感的封裝�(shè)�(jì)�(jìn)一步優(yōu)化了高頻性能和熱管理能力�
  6. 可在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定性能�

�(yīng)�

這款 GaN 功率器件非常適合以下�(yīng)用場(chǎng)景:
  1. USB-PD 快速充電器和適配器�
  2. 開關(guān)電源(SMPS)和 AC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效能電源模塊�
  5. 工業(yè)及通信�(lǐng)域的緊湊型電源解決方案�
  6. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高效率、小型化�(shè)�(jì)的電力電子設(shè)��

替代型號(hào)

NIS6015B2R2G, NCP4306

nis5112d2r2g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nis5112d2r2g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

nis5112d2r2g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - �(wěn)�/電流管理
  • 系列-
  • 功能電子保險(xiǎn)�
  • 檢測(cè)方法-
  • 精確�-
  • 輸入電壓9 V ~ 18 V
  • 電流 - 輸出2A
  • 工作溫度-40°C ~ 175°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NIS5112D2R2G-NDNIS5112D2R2GOSTR