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FIN1108MTDX 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 8:52:44 查看 閱讀�24

FIN1108MTDX 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高頻和高功率應(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),提供卓越的�(kāi)�(guān)性能和高效率,適用于通信、雷�(dá)、射頻能量和其他高性能系統(tǒng)�
  其主要特�(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓以及�(yōu)異的熱性能,使其成為現(xiàn)代射頻和微波�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
  最大漏源電�(V_DS)�100 V
  最大柵源電�(V_GS):�6 V
  �(dǎo)通電�(R_DS(on))�125 mΩ
  連續(xù)漏極電流(I_D)�8 A
  脈沖漏極電流(I_PULSE)�24 A
  柵極電荷(Q_g)�7 nC
  反向恢復(fù)�(shí)�(t_rr)�< 20 ns
  �(jié)溫范�(T_j)�-55°C � +175°C

特�

FIN1108MTDX 具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 基于氮化� (GaN) 的材料,具有高電子遷移率和低�(dǎo)通電��
  2. 高擊穿電壓支持高功率�(yīng)用,能夠承受高達(dá) 100V 的工作電��
  3. 封裝形式緊湊,適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
  4. 極低的反向恢�(fù)�(shí)間和柵極電荷,確保高效的�(kāi)�(guān)性能�
  5. 支持高頻操作,適用于射頻放大�、DC-DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)景�
  6. 熱性能出色,可有效延長(zhǎng)使用壽命并提高系�(tǒng)可靠性�
  7. 提供增強(qiáng)型模式操�,簡(jiǎn)化驅(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

FIN1108MTDX 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 射頻功率放大�,用于無(wú)線通信基站和雷�(dá)系統(tǒng)�
  2. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器,支持工�(yè)電源和服�(wù)器電源解決方��
  3. 射頻能量�(shè)備,如等離子體發(fā)生器和感�(yīng)加熱裝置�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的高功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻驅(qū)�(dòng)器和控制��
  6. 航空航天及國(guó)防領(lǐng)域的高性能射頻組件�

替代型號(hào)

FIN1108MDX
  FIN1108MEX

fin1108mtdx推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fin1108mtdx資料 更多>

  • 型號(hào)
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fin1108mtdx參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭接口 - 信號(hào)緩沖器,中繼�,分配器
  • 系列-
  • 類型�(zhuǎn)�(fā)�
  • Tx/Rx類型LVDS
  • 延遲�(shí)�1.75ns
  • 電容 - 輸入3pF
  • 電源電壓3 V ~ 3.6 V
  • 電流 - 電源80mA
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼48-TFSOP�0.240"�6.10mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�48-TSSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FIN1108MTDX-NDFIN1108MTDXTR