FIN1108MTDX 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高頻和高功率應(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),提供卓越的�(kāi)�(guān)性能和高效率,適用于通信、雷�(dá)、射頻能量和其他高性能系統(tǒng)�
其主要特�(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓以及�(yōu)異的熱性能,使其成為現(xiàn)代射頻和微波�(yīng)用的理想選擇�
類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
最大漏源電�(V_DS)�100 V
最大柵源電�(V_GS):�6 V
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�125 mΩ
連續(xù)漏極電流(I_D)�8 A
脈沖漏極電流(I_PULSE)�24 A
柵極電荷(Q_g)�7 nC
反向恢復(fù)�(shí)�(t_rr)�< 20 ns
�(jié)溫范�(T_j)�-55°C � +175°C
FIN1108MTDX 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 基于氮化� (GaN) 的材料,具有高電子遷移率和低�(dǎo)通電��
2. 高擊穿電壓支持高功率�(yīng)用,能夠承受高達(dá) 100V 的工作電��
3. 封裝形式緊湊,適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
4. 極低的反向恢�(fù)�(shí)間和柵極電荷,確保高效的�(kāi)�(guān)性能�
5. 支持高頻操作,適用于射頻放大�、DC-DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)景�
6. 熱性能出色,可有效延長(zhǎng)使用壽命并提高系�(tǒng)可靠性�
7. 提供增強(qiáng)型模式操�,簡(jiǎn)化驅(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)�
FIN1108MTDX 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 射頻功率放大�,用于無(wú)線通信基站和雷�(dá)系統(tǒng)�
2. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器,支持工�(yè)電源和服�(wù)器電源解決方��
3. 射頻能量�(shè)備,如等離子體發(fā)生器和感�(yīng)加熱裝置�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的高功率轉(zhuǎn)換模��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻驅(qū)�(dòng)器和控制��
6. 航空航天及國(guó)防領(lǐng)域的高性能射頻組件�
FIN1108MDX
FIN1108MEX