K4T51163QQ-BCE7 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一� DDR4 �(nèi)存顆粒芯�,廣泛應用于臺式機、筆記本電腦、服務器和其他需要高性能�(nèi)存支持的設備中。該型號采用先進的制程工藝制�,具有高帶寬、低功耗和高穩(wěn)定性的特點,能夠滿足現(xiàn)代計算系�(tǒng)對內(nèi)存性能的嚴格要求�
DDR4 相較于前� DDR3,在頻率、電壓和糾錯能力等方面均有顯著提�,� K4T51163QQ-BCE7 在這些方面表現(xiàn)尤為突出�
類型:DRAM
接口:DDR4
容量�8Gb (1Gb=128MB)
組織方式�512M x 16
核心電壓(Vcc)�1.2V
I/O 電壓(Vccq)�1.2V
速度�2666Mbps
工作溫度�0°C ~ 85°C
封裝形式:BGA 78-ball
刷新模式:自刷新
�(shù)�(jù)寬度:x16
K4T51163QQ-BCE7 是一款高性能 DDR4 DRAM 芯片,其主要特性包括:
1. 支持高達 2666 Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,適合對帶寬要求較高的應用場��
2. 使用 1.2V 的低工作電壓,相� DDR3 � 1.5V 更加節(jié)��
3. 先進的糾錯功能,可有效降低�(shù)�(jù)傳輸中的錯誤��
4. 提供高密度存儲解決方�,單顆芯片即可實�(xiàn)大容量配��
5. �(wěn)定性優(yōu)異,適用于從消費級到企業(yè)級的各種應用�(huán)��
6. 小型化的 BGA 78 球封裝設計,節(jié)� PCB 空間并簡化布局設計�
K4T51163QQ-BCE7 主要應用于以下領域:
1. 臺式電腦和筆記本電腦中的�(nèi)存條制��
2. �(shù)�(jù)中心和服務器平臺的高密度�(nèi)存需��
3. 工業(yè)控制設備和嵌入式系統(tǒng)的高速緩存解決方案�
4. 高端圖形處理單元(GPU)和其他需要大容量高速內(nèi)存支持的硬件組件�
5. 游戲主機和多媒體設備的主�(nèi)存模塊�
這款芯片憑借其高效能與可靠�,成為眾多主流內(nèi)存模組廠商的選擇�
K4T51163QH-BCE7
K4T51163QM-BCE7
K4T51163QK-BCE7