SI1904DL-T1-E3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用 TrenchFET 第三代技術,具有極低的導通電阻和出色的開關性能,適用于高頻和高效能要求的應用場景。其封裝形式� SOT-23,并支持多種工業(yè)級應��
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�1.8A
導通電�(Rds(on))�57mΩ (� Vgs=10V �)
柵極電荷(Qg)�3.5nC
總功�(Ptot)�450mW
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SI1904DL-T1-E3 使用 Vishay � TrenchFET 技�,能夠提供更低的導通電阻以及更少的柵極電荷,從而提高效率并降低功率損��
其小尺寸 SOT-23 封裝非常適合于空間受限的設計�(huán)��
此外,該 MOSFET 具備高開關速度、較低的輸入和輸出電�,適合高� DC/DC �(zhuǎn)換器和其他開關應��
由于其較高的�(jié)溫能力(最� 175°C),它能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運��
SI1904DL-T1-E3 主要用于需要高性能和高效率的電子電路中。典型應用包括:
1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流��
2. 便攜式設備的負載開關�
3. 電機�(qū)動和電池管理系統(tǒng)的功率控��
4. 工業(yè)自動化和通信設備中的信號切換�
5. 各種 D 類音頻放大器的功率級�(qū)��
SI1905DL, SI1906DL, SI2304DS