�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-3P
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 1200 V
集電極—射極擊穿電�: 1200 V
集電極—射極飽和電�: 2 V
柵極/�(fā)射極最大電�: +/- 25 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 30 A
功率耗散: 339 W
封裝: Tube
配置: Single
最大工作溫�: + 150�
最小工作溫�: - 55�
安裝�(fēng)�: Through Hole