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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FGA30N120FTDTU

FGA30N120FTDTU 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/12/19 17:36:38 查看 閱讀�148

�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-3P
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 1200 V
集電極—射極擊穿電�: 1200 V
集電極—射極飽和電�: 2 V
柵極/�(fā)射極最大電�: +/- 25 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 30 A
功率耗散: 339 W
封裝: Tube
配置: Single
最大工作溫�: + 150

最小工作溫�: - 55
安裝�(fēng)�: Through Hole

fga30n120ftdtu推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fga30n120ftdtu參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型溝道和場(chǎng)截止
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1200V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開(kāi)�2V @ 15V�30A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)60A
  • 功率 - 最�339W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-3P
  • 包裝管件