時間：2025/5/23 10:09:49
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LMUN2211LT1G 是一款由 Texas Instruments（德州儀器）生產(chǎn)的 N 沗道邏輯電平 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用 SOT-23 封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適合于各種高效能開關(guān)應用。
這款 MOSFET 專為低電壓應用設(shè)計，能夠提供高效率和出色的熱性能。其小尺寸封裝使其非常適合空間受限的設(shè)計場景。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：1.8A
導通電阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，@Vgs=4.5V）
柵極電荷：6nC（典型值）
總功耗：400mW
工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +150°C
封裝類型：SOT-23
LMUN2211LT1G 具有以下顯著特點：
1. 極低的導通電阻，有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)能力，適用于高頻操作環(huán)境。
3. 小型 SOT-23 封裝節(jié)省了電路板空間，適合便攜式設(shè)備和緊湊型設(shè)計。
4. 邏輯電平驅(qū)動兼容性，便于與低壓控制信號配合使用。
5. 高可靠性及穩(wěn)健的熱性能，確保在極端溫度條件下的穩(wěn)定運行。
該器件廣泛應用于多種電子電路中，包括但不限于：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關(guān)。
4. 電機驅(qū)動和保護電路。
5. 各類消費類電子產(chǎn)品中的信號切換和功率管理模塊。
LMN2211LT1G, BSS138, SI2302DS
