ETPE330MA9GB 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種高頻開關(guān)�(yīng)用場�。其封裝形式� TO-263,能夠提供出色的散熱性能和電氣特性�
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�33A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�65nC
開關(guān)頻率�500kHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
ETPE330MA9GB 的主要特性包括低�(dǎo)通電�、高電流承載能力和快速開�(guān)速度。這些特性使得該芯片非常適合于需要高效能和低損耗的�(yīng)用場�。此�,其堅固的設(shè)計能夠在極端溫度條件下保持穩(wěn)定性能�
低導(dǎo)通電阻降低了傳導(dǎo)損耗,從而提高了整體效率。高電流承載能力允許在大功率�(yīng)用中使用此器�??焖匍_�(guān)速度減少了開�(guān)損�,并支持更高的工作頻�,這有助于縮小外部元件的尺寸并�(yōu)化系�(tǒng)�(shè)計�
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動、不間斷電源(UPS�、太陽能逆變器以及各種工�(yè)控制�(shè)備中。由于其卓越的熱性能和電氣性能,ETPE330MA9GB 在高功率密度和高效能要求的場合表�(xiàn)出色�
它特別適合需要頻繁開�(guān)且對功耗敏感的�(huán)境,例如汽車電子、通信電源及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的適配器與充電器�
IRFP4468PBF
STP33NF06L
FDP16N10E