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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTE4151PT1G

NTE4151PT1G 發(fā)布時間 時間�2023/4/13 10:31:48 查看 閱讀�776

NTE4151PT1G技術參�(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)�20

源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ)�360

最大漏極電流Id(on)(A)�0.760

通道極性:P溝道

封裝/溫度(�):SC-89/-55 ~150

描述�-20 V, -760 mA,功率MOSFET

資料

廠商
ON Semiconductor

nte4151pt1g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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  • 型號
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nte4151pt1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C760mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C360 毫歐 @ 350mA�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds156pF @ 5V
  • 功率 - 最�313mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-89,SOT-490
  • 供應商設備封�SC-89-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTE4151PT1GOSTR