NTE4151PT1G技術參�(shù)
源漏極間雪崩電壓VBR(V)�20
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ)�360
最大漏極電流Id(on)(A)�0.760
通道極性:P溝道
封裝/溫度(�):SC-89/-55 ~150
描述�-20 V, -760 mA,功率MOSFET
IC型號索引� A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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