BSZ084N08NS5ATMA1 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�。該器件采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�,適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為SOT-223,有助于散熱性能的提�。這種MOSFET通常用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等場景�
最大漏源電壓:80V
最大連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻(典型值)�8.4mΩ
柵極電荷�37nC
總功耗:38W
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
BSZ084N08NS5ATMA1 具有低導(dǎo)通電阻的特點,這可以有效降低功率損�,提高效率。同�,其高電流處理能力和堅固的結(jié)�(gòu)�(shè)計使其非常適合于需要高效能和高可靠性的�(yīng)��
此外,該器件具備快速開�(guān)能力,能夠減少開�(guān)損�,從而優(yōu)化系�(tǒng)性能。它還具有良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能�,確保在極端條件下的正常運行�
該MOSFET廣泛�(yīng)用于各類工業(yè)和消費電子領(lǐng)�,包括但不限于以下場景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)控制與驅(qū)�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 逆變器和不間斷電源(UPS�
6. 各類�(fù)載開�(guān)�(yīng)�
STP08NM50,
IRF840,
BUZ11