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DS1245Y-100+ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 12:00:09 查看 閱讀�10

DS1245Y-100+ 是一款由 Maxim Integrated 生產(chǎn)的非易失性實(shí)�(shí)�(shí)� (RTC) 芯片,具有集成的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲� (SRAM) 和電池備份功�。該芯片通過 I2C 接口與主�(jī)微控制器�(jìn)行通信,廣泛用于需要精確時(shí)間記錄和�(shù)�(jù)保存的應(yīng)用中�
  DS1245Y-100+ 的主要特�(diǎn)是其能夠在系�(tǒng)斷電�(shí)依靠備用電池維持�(nèi)� SRAM �(shù)�(jù)和時(shí)鐘運(yùn)�,確保在長時(shí)間無主電源的情況下仍然能夠保存關(guān)鍵數(shù)�(jù)和提供準(zhǔn)確的�(shí)間信息�

參數(shù)

封裝:SOIC-8
  工作電壓�2.0V � 5.5V
  待機(jī)電流�1μA(典型值)
  �(shí)鐘精度:±2 �/月(25°C 下晶體為 32.768kHz�
  I2C 總線速度:高�(dá) 400kHz
  SRAM 容量�512 字節(jié)
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C

特�

DS1245Y-100+ 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 集成了非易失� RTC 功能,可以自�(dòng)維護(hù)�、月、日、星�、小�(shí)、分鐘和秒�
  2. �(nèi)� 512 字節(jié)� SRAM,可通過 I2C 接口訪問,并支持電池備份以防止數(shù)�(jù)丟失�
  3. 支持多種供電模式,包括主電源和備用電池切換,確保系統(tǒng)斷電�(shí)的數(shù)�(jù)完整��
  4. 提供低功耗設(shè)�(jì),適合便攜式�(shè)備和其他對能效要求較高的�(yīng)用�
  5. 工作電壓范圍�,適�(yīng)不同的電路設(shè)�(jì)需求�
  6. 提供高精度的�(shí)鐘功�,減少長期使用中的時(shí)間漂移問題�
  7. 小巧� SOIC-8 封裝使其非常適合空間受限的設(shè)�(jì)�(huán)��

�(yīng)�

DS1245Y-100+ 廣泛�(yīng)用于需要精�(zhǔn)�(shí)間記錄和�(shù)�(jù)保護(hù)的領(lǐng)�,具體包括:
  1. �(jì)算機(jī)和服�(wù)器主板上的時(shí)間管理模塊�
  2. �(yī)療設(shè)�,如�(jiān)�(hù)儀和診斷儀器中的時(shí)間戳記錄�
  3. 工業(yè)控制�(shè)備,用于任務(wù)�(diào)度和事件日志記錄�
  4. POS 終端和其他金融交易設(shè)�,用于確保交易時(shí)間的�(zhǔn)確��
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,例如數(shù)碼相�(jī)和錄像機(jī)中的日期和時(shí)間標(biāo)��
  6. 電力�(jiān)控和能源管理系統(tǒng)中的定時(shí)和同步功��
  7. 嵌入式系�(tǒng)中的通用�(shí)鐘源和數(shù)�(jù)存儲單元�

替代型號

DS1245L-100+, DS1245U-100+, DS1307, PCF8563

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ds1245y-100+參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊Lead (SnPb) Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝11
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲�
  • 系列-
  • 格式 - 存儲�RAM
  • 存儲器類�NVSRAM(非易失 SRAM�
  • 存儲容量1M (128K x 8)
  • 速度100ns
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作溫度0°C ~ 70°C
  • 封裝/外殼32-DIP 模塊�0.600"�15.24mm�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�32-EDIP
  • 包裝管件