UEA1112C-4HK1-4H 是一款高性能、低功耗的場效應晶體管(MOSFET�,專為高頻開關和功率轉換應用而設�。該型號采用了先進的制造工�,具有出色的電氣特性和可靠�,適用于消費電子、工�(yè)設備以及通信領域的各種場��
UEA1112C-4HK1-4H 的封裝形式為 TO-252(DPAK),這種封裝方式提供了良好的散熱性能和機械穩(wěn)定�,使其能夠在高電流和高電壓條件下�(wěn)定運��
類型:N溝道增強� MOSFET
最大漏源電壓(Vds):100 V
最大柵源電壓(Vgs):±20 V
最大漏極電流(Id):6.3 A
導通電阻(Rds(on)):0.15 Ω(典型�,在 Vgs=10V 時)
總功耗(Ptot):1.8 W
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-252(DPAK�
UEA1112C-4HK1-4H 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電�,可有效減少功率損�,提高整體效率�
2. 高速開關能�,能夠滿足高頻應用需��
3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下的可靠運行�
4. 強大的抗靜電能力(ESD�,提升了器件的耐用��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產品中�
6. 封裝緊湊,適合空間受限的設計�
UEA1112C-4HK1-4H 廣泛應用于多種領域,包括但不限于�
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元��
2. DC-DC 轉換器中的同步整流和降壓/升壓功能�
3. 電機驅動電路中的功率控制�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護和充放電控制�
5. 工業(yè)自動化設備中的信號隔離與功率傳輸�
6. 消費類電子產品的負載切換和保護電��
IRLZ44N, AO3400A, FDN340P