DMT6006LSS是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采用SOT-23封裝形式。該器件適用于低電壓、低功耗的�(yīng)用場�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較快的開�(guān)速度�
其主要設(shè)計目的是為便攜式�(shè)備和其他對空間和能耗要求較高的�(yīng)用提供高效的功率控制解決方案�
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�1.1A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�1.5Ω(在Vgs=10V時)
總功耗Ptot�410mW
工作溫度范圍Tj�-55℃至+150�
DMT6006LSS具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功率損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻電路中的應(yīng)用�
3. 小型化的SOT-23封裝,非常適合空間受限的�(shè)��
4. 高靜電防護能�,提高了�(chǎn)品在實際�(yīng)用中的可靠��
5. 工作溫度范圍寬廣,能夠適�(yīng)各種�(huán)境條件下的運行需求�
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于多種電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源和直�-直流�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電池管理系統(tǒng)的負載開�(guān)�
3. 消費類電子產(chǎn)品中的背光驅(qū)動和電機�(qū)��
4. 信號切換和保護電路中的電子開�(guān)�
5. 各種手持�(shè)備和可穿戴設(shè)備中的功率控制組��
DMG2305UX, BSS138, SI2302DS