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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > EP4SE230F29C2N

EP4SE230F29C2N 發(fā)布時間 時間�2023/8/1 11:05:25 查看 閱讀�248

�(chǎn)品概�

�(chǎn)品型�

EP4SE230F29C2N

描述

集成電路FPGA 488 I/O 780FBGA

分類

集成電路(IC),嵌入式-FPGA(�(xiàn)場可編程門陣列)

制造商

英特�

系列

STRATIX?IV E

打包

托盤

零件狀�(tài)

活�

電壓-電源

0.87V?0.93V

工作溫度

0°C?85°C(TJ)

包裝/�

780-BBGA,F(xiàn)CBGA

供應(yīng)商設(shè)備包�

780-FBGA(29x29)

基本零件�

EP4SE230

�(chǎn)品圖�

EP4SE230F29C2N

EP4SE230F29C2N

�(guī)格參�(shù)

可編程邏輯類�

�(xiàn)場可編程門陣列

符合歐盟RoHS

狀�(tài)

�(zhuǎn)�

最大時鐘頻�

800.0兆赫

JESD-30代碼

S-PBGA-B780

JESD-609代碼

1�

總RAM�

17544192

CLB�(shù)�

9120.0

輸入�(shù)�

488.0

邏輯單元�(shù)

228000.0

輸出�(shù)�

488.0

端子�(shù)

780

最低工作溫�

0�

最高工作溫�

85�

組織

9120 CLBS

峰值回流溫�(�)

245

電源

0.9,1.2 / 3,1.5,2.5

資格狀�(tài)

不合�

座高

3.4毫米

子類�

�(xiàn)場可編程門陣列

電源電壓�(biāo)�

0.9�

最小供電電�

0.87�

最大電源電�

0.93�

安裝類型

表面貼裝

技�(shù)

CMOS

溫度等級

其他

終端完成

�/銀/�(Sn / Ag / Cu)

終端表格

端子間距

1.0毫米

終端位置

底部

時間@峰值回流溫度最大�(�)

40

長度

29.0毫米

寬度

29.0毫米

包裝主體材料

塑料/�(huán)氧樹�

包裝代碼

BGA

包裝等效代碼

BGA780,28X28,40

包裝形狀

廣場

包裝形式

�(wǎng)格陣�

制造商包裝說明

29 X 29 MM,無�,F(xiàn)BGA-780

�(huán)境與出口分類

無鉛狀�(tài)/RoHS狀�(tài)

無鉛/符合RoHS

水分敏感性水�(MSL)

3(168小時)

特點(diǎn)

  • Stratix IV GX和GT器件中多�(dá)48個基于CDR的全雙工收發(fā)器,分別支持高達(dá)8.5 Gbps�11.3 Gbps的數(shù)�(jù)速率�

  • 專用電路支持流行的串行協(xié)議的物理層功能,例如PCI Express(PCIe)(PIPE)Gen1和Gen2,Gbps以太�(wǎng)(GbE),串行RapidIO,SONET / SDH,XAUI / HiGig�(OIF)CEI-6G,SD / HD / 3G-SDI,光纖通道,SFI-5和Interlaken�

  • 具有嵌入式PCIe硬IP模塊的完整PCIe�(xié)議解決方�,這些模塊�(shí)�(xiàn)PHY-MAC層,�(shù)�(jù)鏈路層和事務(wù)處理層功��

  • 可編程的�(fā)射機(jī)�(yù)加重和接收機(jī)均衡電路,可�(bǔ)償物理介�(zhì)中與頻率有關(guān)的損耗�

  • 每個通道的典型物理介�(zhì)附件(PMA)功耗分別為3.125 Gbps�100 mW�6.375 Gbps時為135 mW�

  • 每臺�(shè)�72,600�813,050等效LE�

  • 7,370�33,294 Kb的增�(qiáng)型TriMatrix存儲器,由三種RAM塊大小組�,可�(shí)�(xiàn)真正的雙端口存儲器和FIFO緩沖區(qū)�

  • 高速數(shù)字信號處�(DSP)模塊,最高可配置�9 x 9��12 x 12位,18 x 18位和36 x 36位全精度乘法�,最高頻率為600 MHz�

  • 每個設(shè)備最�16個全局時鐘(GCLK)�88個區(qū)域時�(RCLK)�132個外圍時�(PCLK)�

  • 可編程電源技�(shù),可在最大程度降低功耗的同時最大化�(shè)備性能�

  • 多達(dá)1,120個用戶I / O引腳布置�24個模塊化I / O bank�,這些模塊支持廣泛的單端和差分I / O�(biāo)�(zhǔn)�

  • 支持多達(dá)24個模塊化I / O bank 上的高速外部存儲器接口,包括DDR,DDR2,DDR3 SDRAM,RLDRAM II,QDR II和QDR II + SRAM�

  • 具有串行�/解串�(SERDES),動�(tài)相位對準(zhǔn)(DPA)和soft-CDR電路的高速LVDS I / O支持,數(shù)�(jù)速率高達(dá)1.6 Gbps�

  • 支持源同步總線標(biāo)�(zhǔn),包括SGMII,GbE,SPI-4 階段2(POS-PHY級別4),SFI-4.1,XSBI,UTOPIA IV,NPSI和CSIX-L1�

  • Stratix IV E器件的引腳排�,旨在允許將�(shè)�(jì)從Stratix III 遷移到Stratix IV E,而對PCB的影響最小�

CAD模型

EP4SE230F29C2N符號

EP4SE230F29C2N符號

EP4SE230F29C2N腳印

EP4SE230F29C2N腳印

ep4se230f29c2n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ep4se230f29c2n圖片

ep4se230f29c2n

ep4se230f29c2n參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭嵌入� - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列�
  • 系列STRATIX® IV E
  • LAB/CLB�(shù)9120
  • 邏輯元件/單元�(shù)228000
  • RAM 位總�(jì)17544192
  • 輸入/輸出�(shù)488
  • 門�(shù)-
  • 電源電壓0.87 V ~ 0.93 V
  • 安裝類型表面貼裝
  • 工作溫度0°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼780-BBGA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�780-FBGA�29x29�