DMN3033LDM-7-F 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開�(guān)性能,適用于各種功率�(zhuǎn)換和負載�(qū)動應用。其封裝形式� LFPAK88,支持表面貼裝技�(shù) (SMT),能夠提供卓越的散熱性能和高電流承載能力�
� MOSFET 的設(shè)計目標是滿足高效能、小型化和低成本的需�,廣泛應用于消費電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備等�(lǐng)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�14A
導通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
柵極電荷�15nC(典型值)
輸入電容�1690pF(典型值)
開關(guān)時間:ton=18ns,toff=23ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
DMN3033LDM-7-F 提供了非常低的導通電阻,有助于減少傳導損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
該器件還具備快速開�(guān)速度,可以降低開�(guān)損�,非常適合高頻應用�
其堅固的�(shè)計能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運�,并且通過�(yōu)化的封裝�(jié)�(gòu)增強了散熱性能�
此外,該 MOSFET 還具有較低的柵極電荷和輸出電�,有助于簡化�(qū)動電路設(shè)計并降低�(qū)動功��
在保護功能方�,它具有過熱�(guān)斷和 ESD 保護等特性,進一步提升了可靠性和安全��
� MOSFET 廣泛應用� DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流電路、電機驅(qū)�、LED �(qū)動器、電池管理以及負載開�(guān)等場��
由于其低導通電阻和高效率的特點,DMN3033LDM-7-F 特別適合于便攜式�(shè)�、筆記本電腦適配器、服務器電源和電動工具等對能效要求較高的�(lǐng)��
此外,該器件也常用于工業(yè)自動化設(shè)備中的開�(guān)電源和信號調(diào)節(jié)電路��
DMN3036LDM-7-F, DMN3029LDM-7-F