CSD17577Q5A是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�。該器件采用3.3mm x 2.6mm的小型QFN封裝,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能。這款GaN FET適合用于高頻、高效能的應(yīng)用場�,例如電源適配器、充電器、DC-DC�(zhuǎn)換器��
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏電流:15A
典型�(dǎo)通電阻:15mΩ
柵極電荷�49nC
輸入電容�1840pF
反向傳輸電容�350pF
工作�(jié)溫范圍:-55� to 150�
CSD17577Q5A具備卓越的開�(guān)性能,可顯著提高功率密度并降低系�(tǒng)損��
1. 高效開關(guān):憑借其超低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,能�?qū)崿F(xiàn)高效率的能量�(zhuǎn)��
2. 熱性能�(yōu)異:得益于GaN技�(shù),能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
3. 小型化設(shè)計:3.3mm x 2.6mm的封裝使其非常適合空間受限的�(yīng)用�
4. 易于�(qū)動:�(yōu)化的柵極�(qū)動要求使得與�(xiàn)有控制器兼容變得容易�
5. 高可靠性:通過了嚴格的測試流程,確保在各種�(yīng)用中的可靠性和耐用��
該器件主要應(yīng)用于需要高頻和高效率的場合,如�
1. USB-PD快充適配��
2. 筆記本電腦及移動�(shè)備充電器�
3. 工業(yè)級DC-DC�(zhuǎn)換器�
4. 開關(guān)電源(SMPS)模��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理部分�
CSD17578Q5A