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NTD4969NT4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 15:44:21 查看 閱讀�24

NTD4969NT4G 是一� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,采� TO-263 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度以及高擊穿電壓的特點(diǎn),適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用。其典型�(yīng)用場(chǎng)景包� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電源管理模塊等�
  � MOSFET 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是提高效率并降低功�,非常適合于需要高性能和可靠性的工業(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中�

參數(shù)

型號(hào):NTD4969NT4G
  封裝:TO-263
  Vds(漏源極電壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):67A
  Bvdss(擊穿電壓)�60V
  Qg(總柵極電荷):41nC
  Ciss(輸入電容)�3880pF
  Vgs(th)(柵極閾值電壓)�2V~4V
  Tj(結(jié)溫范圍)�-55℃~175�

特�

NTD4969NT4G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
  2. 高額定電� Id 和擊穿電� Bvdss,使其能夠承受較大的�(fù)載條��
  3. 快速的�(kāi)�(guān)性能,得益于較小的總柵極電荷 Qg 和優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)�
  4. 寬廣的工作溫度范� Tj,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保且適合�(zhǎng)期使��
  這些特性共同確保了� MOSFET 在高功率密度�(yīng)用中的優(yōu)異表�(xiàn)�

�(yīng)�

NTD4969NT4G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的功率�(jí)控制�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的橋式配置或半橋驅(qū)�(dòng)�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
  5. 電信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的高效電源管理方��
  6. 各種便攜式電子設(shè)備中的直�-直流�(zhuǎn)換器�
  其強(qiáng)大的電流處理能力和高效的工作特性使其成為許多高要求�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

NTD4968N3, NTD4967NT4G

ntd4969nt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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ntd4969nt4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.4A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 30A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs9nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds837pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.38W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)