NTD4969NT4G 是一� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,采� TO-263 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度以及高擊穿電壓的特點(diǎn),適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用。其典型�(yīng)用場(chǎng)景包� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電源管理模塊等�
� MOSFET 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是提高效率并降低功�,非常適合于需要高性能和可靠性的工業(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中�
型號(hào):NTD4969NT4G
封裝:TO-263
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):67A
Bvdss(擊穿電壓)�60V
Qg(總柵極電荷):41nC
Ciss(輸入電容)�3880pF
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�2V~4V
Tj(結(jié)溫范圍)�-55℃~175�
NTD4969NT4G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
2. 高額定電� Id 和擊穿電� Bvdss,使其能夠承受較大的�(fù)載條��
3. 快速的�(kāi)�(guān)性能,得益于較小的總柵極電荷 Qg 和優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)�
4. 寬廣的工作溫度范� Tj,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保且適合�(zhǎng)期使��
這些特性共同確保了� MOSFET 在高功率密度�(yīng)用中的優(yōu)異表�(xiàn)�
NTD4969NT4G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的功率�(jí)控制�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的橋式配置或半橋驅(qū)�(dòng)�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
5. 電信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的高效電源管理方��
6. 各種便攜式電子設(shè)備中的直�-直流�(zhuǎn)換器�
其強(qiáng)大的電流處理能力和高效的工作特性使其成為許多高要求�(yīng)用的理想選擇�
NTD4968N3, NTD4967NT4G