類別:分離式半導體產�
類別:分離式半導體產�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�4 歐姆 @ 1A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�320mA
Id 時的 Vgs(th)(最大)�2.4V @ 1mA
閘電�(Qg) @ Vgs�-
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �75pF @ 25V
功率 - 最大:700mW
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-92-3(標準主體),TO-226
包裝:散�
供應商設備封裝:*