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CSD16327Q3 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 20:58:51 查看 閱讀�26

CSD16327Q3是來自德州儀器(TI)的一款N溝道增強型功率MOSFET,采用先進的制程工藝制�,適用于需要高效率和低損耗的應用場景。該器件主要面向消費電子、工�(yè)控制以及通信設備等領�,能夠提供出色的導通電阻性能和開關特性�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大連續(xù)漏極電流�48A
  導通電阻(Rds(on)):0.95mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
  柵極電荷�37nC(典型值)
  總電容(Ciss):3240pF(典型值)
  功耗:250W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

CSD16327Q3具有非常低的導通電�,這使其在高頻開關應用中表�(xiàn)出色,同時減少了導通損��
  該器件采用了高效的封裝設計,有助于散熱并提升整體系統(tǒng)效率�
  其堅固的設計和寬廣的工作溫度范圍使其適合多種惡劣�(huán)境下的應��
  CSD16327Q3還具備快速的開關速度和較低的柵極電荷,從而優(yōu)化了動態(tài)性能并降低了開關損��
  此外,它的高電流承載能力使它成為大功率轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動的理想選擇�

應用

CSD16327Q3廣泛應用于直�-直流�(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)�、服務器電源、電信整流模塊、太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�
  由于其卓越的電氣特性和熱性能,該器件也常用于高性能電機�(qū)動和電池管理系統(tǒng)�
  此外,它還被用在電動工具、家用電器以及汽車電子中的各種功率管理電路中�

替代型號

CSD16340Q5A, CSD18508Q5A, CSD19507Q5A

csd16327q3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

csd16327q3資料 更多>

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csd16327q3參數(shù)

  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C60A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫歐 @ 24A�8V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8.4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 12.5V
  • 功率 - 最�3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TDFN 裸露焊盤
  • 供應商設備封�8-SON-EP�3.3x3.3�
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-30138-6