CSD16327Q3是來自德州儀器(TI)的一款N溝道增強型功率MOSFET,采用先進的制程工藝制�,適用于需要高效率和低損耗的應用場景。該器件主要面向消費電子、工�(yè)控制以及通信設備等領�,能夠提供出色的導通電阻性能和開關特性�
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏極電流�48A
導通電阻(Rds(on)):0.95mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷�37nC(典型值)
總電容(Ciss):3240pF(典型值)
功耗:250W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
CSD16327Q3具有非常低的導通電�,這使其在高頻開關應用中表�(xiàn)出色,同時減少了導通損��
該器件采用了高效的封裝設計,有助于散熱并提升整體系統(tǒng)效率�
其堅固的設計和寬廣的工作溫度范圍使其適合多種惡劣�(huán)境下的應��
CSD16327Q3還具備快速的開關速度和較低的柵極電荷,從而優(yōu)化了動態(tài)性能并降低了開關損��
此外,它的高電流承載能力使它成為大功率轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動的理想選擇�
CSD16327Q3廣泛應用于直�-直流�(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)�、服務器電源、電信整流模塊、太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�
由于其卓越的電氣特性和熱性能,該器件也常用于高性能電機�(qū)動和電池管理系統(tǒng)�
此外,它還被用在電動工具、家用電器以及汽車電子中的各種功率管理電路中�
CSD16340Q5A, CSD18508Q5A, CSD19507Q5A